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#1 |
www.hwupgrade.it
Iscritto dal: Jul 2001
Messaggi: 75173
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Link alla notizia: http://www.hwupgrade.it/news/cpu/14561.html
Il colosso dei processori è in linea con le tempistiche per l'introduzione dei processori a 65 nanometri sul mercato Click sul link per visualizzare la notizia. |
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#2 |
Bannato
Iscritto dal: Oct 2002
Messaggi: 29264
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Bene, c'è da sperare che non si facciano fretta per far uscire i primi processori col nuovo processo produttivo rischiando di ripetere l'errore dei Prescott.
Ciao. Ultima modifica di Dumah Brazorf : 06-05-2005 alle 13:59. |
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#3 |
Senior Member
Iscritto dal: Feb 2002
Città: Padova
Messaggi: 24606
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speriamo nn incrontrino troppi problemi come i prescott
BYEZZZZZZZZZZZZZZ
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#4 |
Bannato
Iscritto dal: Jul 2002
Città: Mantova
Messaggi: 722
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In teoria...se la nuova tecnologia costruttiva funziona bene, dovremmo avere una bella riduzione del calore e dei consumi...
Purtroppo in Prescott hanno ridotto solo la geometria dei componenti e per i transistor è stato colpo basso: diminuendo eccessivamente la superficie della BASE di essi, sono aumentate le correnti di dispersione, ottenendo l'effetto finale contrario(aumento calore e consumi)... Se ora gli ingegneri hanno lavorato bene (sperema) dovremmo iniziare a vedere miglioramenti...bye bye |
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#5 | |
Senior Member
Iscritto dal: Jan 2003
Città: Atlantide (AT)
Messaggi: 2506
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Quote:
Sa anche che deve necessariamente gettare le basi di un architettura a lungo termine che sia il più scalabile possibile e , cosa più importante , deve rispondere a AMD che quest'anno l'ha umiliata in tutti i settori tranne quello mobile... Un 'altro errore potrebbe essere l'inizio della fine.. quindi , l'anno prossimo , vedremo quale è il vero potenziale della produttrice di semiconduttori + potente del mondo.... |
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#6 |
Senior Member
Iscritto dal: Apr 2005
Città: Napoli
Messaggi: 6817
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Senza un analogo del SOI di IBM, dubito che il leakage diminuisca... Lo strained silicon aumenta solo la velocità a parità di potenza UTILE (totale - perdite - leakage) dissipata. Credo che il leakage aumenti, per il maggiore spazio tra gli atomi e una maggiore facilità di "fuga" degli elettroni...
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#7 |
Senior Member
Iscritto dal: Nov 2004
Messaggi: 459
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credo stiano scegliendo per la seconda volta la strada sbagliata...come i prescott
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#8 |
Senior Member
Iscritto dal: Aug 2004
Città: Breme (PV)
Messaggi: 431
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Questo articolo uscito un po' di tempo fa sembra dare buone previsioni:
http://www.hardware4you.it/editoriale.php?id_e=7
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«Non so con quali armi verrà combattuta la III guerra mondiale ma la IV verrà combattuta con clave e pietre». -Albert Eistein- |
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#9 |
Senior Member
Iscritto dal: Mar 2004
Messaggi: 16053
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ma speriamo in una ripresa del colosso di santa clara
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#10 | |
Senior Member
Iscritto dal: Apr 2003
Città: Genova
Messaggi: 4741
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Jappilas is a character created by a friend for his own comic - I feel honored he allowed me to bear his name Saber's true name belongs to myth - a Heroic Soul out of legends, fighting in our time to fullfill her only wish Let her image remind of her story, and of the emotions that flew from my heart when i assisted to her Fate
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#11 |
Senior Member
Iscritto dal: Sep 2002
Città: provincia di Siracusa
Messaggi: 7277
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Staremo a vedere se finalmente Intel tirerà fuori qualcosa di buono!
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i5 3570K@4700Mhz@Corsair H100i Gigabyte Z77X UD3H Corsair Vengeance 1600Mhz 16Gb HD 7950 Windforce 3@1200/1600Mhz SSD Samsung 840 Pro 128Gb + SSD Verbatim 128Gb + 9,5 Tb storage su h.d. Corsair TX850W Scythe Kaze Q8 CM HAF 922 Benq GW2750HM CM Storm Trigger Logitech MX518 TRATTATIVE SUL MERCATINO ![]() |
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#12 | |
Senior Member
Iscritto dal: Jan 2002
Messaggi: 847
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#13 | |
Member
Iscritto dal: Jul 2004
Città: TV
Messaggi: 58
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Santo il Dio, ma sono negro! |
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#14 |
Senior Member
Iscritto dal: Jan 2002
Messaggi: 847
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Guardando la figura, e partendo dal fatto che, applicando una tensione tra gate e source, si instaura un passaggio di elettroni tra source e drain, il resto del discorso è meglio comprensibile
![]() http://www.cs.huji.ac.il/course/2003/vlsid/lecture2/vlsi_2_n-channel-MOSFET.jpg Gli elettroni sono nella buca n+ di sinistra. La barriera ha la forma più o meno delle lacune n+: quindi gli elettroni, per passare (da sinistra a destra), devono passare quella barriera in mezzo; se si avvicinano il source e il drain, si vede come la barriera diventa più stretta, e quindi è più facile per gli elettroni attraversarla (quindi passa più corrente). |
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#15 | |
Senior Member
Iscritto dal: Feb 2002
Città: Padova
Messaggi: 24606
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ma è anke altrettanto vero che ha IL NOME l'utente normale nn sa che il prescott scalda...... nn sa manco che è un prescott forse ![]() sa che è PENTIUM e per questo venderà lo stesso...... diciamo che ha puntati gli okkio degli esperti e degli smanettoni..... è vero che le ha prese soprattutto nella guerra PR Vs Mhz però come hai detto INTEL nn è casa che si piega così facilmente e nell'ambito mobile si è rafforzata molto forse imparando qlkosa dal progetto banias speriamo sforni qlkosa all'altezza se il mercato dell'informatica va come è sempre andato..... ossia con alti e bassi forse questa è la volta buona ![]() BYEZZZZZZZZZZZZZ
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#16 |
Senior Member
Iscritto dal: Aug 2002
Città: Udine
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e credete che se intel farà un altro sbaglio fallirà o diminuirà le vendite?
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#17 | |
Senior Member
Iscritto dal: Apr 2005
Città: ducato di MEDIOLANUM nell' ombra del domm[Milano]
Messaggi: 2488
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piuttosto, dat che ho in programma un upgrade vi sovvengono due questioni alchè opprimenti ![]() se si va a 65nm e si diminuisce la dimensione, non e che diminuiscono la possibilita di overclock e il raffreddamento? questo nuovo core (presler o cedar mill non ricordo il nome) sara compatibile con i chipset 925X/XE? sara possibile sbloccare il moltiplicatore? grazie a chiunque mi risponda |
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#18 |
Senior Member
Iscritto dal: Feb 2002
Città: Padova
Messaggi: 24606
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il molty posso già dirti che al 99% no
forse utilizzeranno qlk tecnica alla INTEL SPEED STEP simil C&Q quindi FORSE verso il basso ma nn verso l'alto...... la comp nn si sa molto SPERO che nn diano prob con la serie 955 e 945 BYEZZZZZZZZZZZZZZ
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#19 | |
Senior Member
Iscritto dal: Apr 2005
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