Samsung abbatte il muro dei 10 nanometri: la DRAM entra in una nuova era

[Redazione di Hardware Upg]

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Secondo fonti industriali, Samsung avrebbe realizzato il primo die DRAM funzionante utilizzando un processo sotto i 10 nm, grazie a una nuova struttura 4F e transistor verticali. La tecnologia 10a promette maggiore densità ed efficienza energetica. La produzione di massa è prevista entro il 2028, mentre il settore guarda già alla futura transizione verso le 3D DRAM.

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