|
|||||||
|
|
|
 |
|
|
Strumenti |
07-10-2010, 12:08
|
#1 |
|
www.hwupgrade.it
Iscritto dal: Jul 2001
Messaggi: 75166
|
Link alla notizia: http://www.hwupgrade.it/news/memorie...ram_33971.html
Oltre 30 brevetti di Qimonda, riguardanti le memorie Conductive-Bridging RAM sono stati acquisiti da Adesto Technologies Click sul link per visualizzare la notizia. |
|
|
|
07-10-2010, 13:00
|
#2 |
|
Senior Member
Iscritto dal: Aug 2006
Città: Valdagno
Messaggi: 7988
|
In pratica sd e ssd?
Credo si riferisca a questo no????
O sbaglio? |
|
|
|
|
07-10-2010, 13:02
|
#3 |
|
Senior Member
Iscritto dal: Aug 2006
Città: Valdagno
Messaggi: 7988
|
ricordo male o....
le cbram sono molto più veloci delle memorie flash e con tempo di accesso decisamente più basso?
Inoltre una maggiore durata nelle scritture..... Correggetemi se sbaglio..... |
|
|
|
|
07-10-2010, 17:35
|
#4 | ||
|
Senior Member
Iscritto dal: Sep 2004
Città: Vicino a Milano
Messaggi: 1913
|
Quote:
Quote:
__________________
Sistema: Asus (Win 10 64 bit, Intel i7, 16 GB RAM) - Samsung Laser ML 2165 - Pentax K20D (+ 3 obbiettivi) - Samsung S9+ - APC Back-UPS RS 800 |
||
|
|
|
|
08-10-2010, 10:24
|
#5 |
|
Senior Member
Iscritto dal: Oct 2009
Messaggi: 3824
|
ma c'è già il riferimento all'articolo precedente, cosa avete da brontolare...
|
|
|
|
|
08-10-2010, 10:27
|
#6 |
|
Senior Member
Iscritto dal: Oct 2009
Messaggi: 3824
|
x chi vuole un sunto della CBram
La tecnologia Cbram (Conductive Bridging Ram) è stata sviluppata dalla Arizona State University e dal suo spinoff Axon Technologies. È basata sulle proprietà di un elettrolita solido (generalmente solfuro di germanio drogato con rame) posto tra un elettrodo relativamente inerte (ad esempio tungsteno) e uno elettrochimicamente attivo (ad esempio argento o rame). In queste condizioni l'applicazione di un campo elettrico tra i due elettrodi provoca uno spostamento di ioni metallici nell'elettrolita con la conseguente formazione di “nano-fili” conduttivi. L'operazione di scrittura, pertanto, provoca la diminuzione della resistenza sul percorso del segnale. I nano-fili rimangono stabili anche in assenza del campo elettrico che ne ha provocato la formazione; l'applicazione di un campo elettrico inverso, tuttavia, riporta gli ioni metallici verso le loro posizioni iniziali, rompendo così i nano-fili e aumentando nuovamente la resistenza. I principali vantaggi della tecnologia Cbram sono basso consumo, alta velocità di scrittura, lunga durata e la possibilità teorica di raggiungere dimensioni di cella pari a quelle di pochi ioni. Vari produttori di memorie hanno acquistato da Axon la licenza di questa tecnologia mentre Nec ha sviluppato una propria variante denominata “Nanobridge”.
|
|
|
|
|
|
| Strumenti | |
|
|
Tutti gli orari sono GMT +1. Ora sono le: 07:37.
