Adesto acquisisce la proprietà intellettuale di Qimonda sulle CBRAM

[Redazione di Hardware Upg]

Link alla notizia: http://www.hwupgrade.it/news/memorie...ram_33971.html

Oltre 30 brevetti di Qimonda, riguardanti le memorie Conductive-Bridging RAM sono stati acquisiti da Adesto Technologies

Click sul link per visualizzare la notizia.

[supertigrotto]

Credo si riferisca a questo no????
O sbaglio?

[supertigrotto]

le cbram sono molto più veloci delle memorie flash e con tempo di accesso decisamente più basso?
Inoltre una maggiore durata nelle scritture.....
Correggetemi se sbaglio.....

[SuperSandro]

Originariamente inviato da supertigrotto

Credo si riferisca a questo no????
O sbaglio?

Originariamente inviato da supertigrotto

le cbram sono molto più veloci delle memorie flash e con tempo di accesso decisamente più basso?
Inoltre una maggiore durata nelle scritture.....
Correggetemi se sbaglio.....

Sì, va be', però: ci vuole tanto ad aggiungere una breve nota del genere: Le memorie cbram sono più / meno veloci, consumano di più / di meno, sono più belle / più brutte, costeranno di meno / di più. Eccheccacchio!

[djfix13]

ma c'è già il riferimento all'articolo precedente, cosa avete da brontolare...

[djfix13]

La tecnologia Cbram (Conductive Bridging Ram) è stata sviluppata dalla Arizona State University e dal suo spinoff Axon Technologies. È basata sulle proprietà di un elettrolita solido (generalmente solfuro di germanio drogato con rame) posto tra un elettrodo relativamente inerte (ad esempio tungsteno) e uno elettrochimicamente attivo (ad esempio argento o rame). In queste condizioni l'applicazione di un campo elettrico tra i due elettrodi provoca uno spostamento di ioni metallici nell'elettrolita con la conseguente formazione di “nano-fili” conduttivi. L'operazione di scrittura, pertanto, provoca la diminuzione della resistenza sul percorso del segnale. I nano-fili rimangono stabili anche in assenza del campo elettrico che ne ha provocato la formazione; l'applicazione di un campo elettrico inverso, tuttavia, riporta gli ioni metallici verso le loro posizioni iniziali, rompendo così i nano-fili e aumentando nuovamente la resistenza. I principali vantaggi della tecnologia Cbram sono basso consumo, alta velocità di scrittura, lunga durata e la possibilità teorica di raggiungere dimensioni di cella pari a quelle di pochi ioni. Vari produttori di memorie hanno acquistato da Axon la licenza di questa tecnologia mentre Nec ha sviluppato una propria variante denominata “Nanobridge”.