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Samsung Galaxy S25 Edge: il top di gamma ultrasottile e leggerissimo. La recensione
Samsung Galaxy S25 Edge: il top di gamma ultrasottile e leggerissimo. La recensione
Abbiamo provato il nuovo Galaxy S25 Edge, uno smartphone unico per il suo spessore di soli 5,8 mm e un peso super piuma. Parliamo di un device che ha pro e contro, ma sicuramente si differenzia dalla massa per la sua portabilità, ma non senza qualche compromesso. Ecco la nostra prova completa.
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Old 23-09-2010, 07:24   #1
Redazione di Hardware Upg
www.hwupgrade.it
 
Iscritto dal: Jul 2001
Messaggi: 75173
Link alla notizia: http://www.businessmagazine.it/news/...ess_33825.html

Il colosso dei processori stringe un accordo di ricerca con l'istituto Tyndall in Irlanda: assieme lavoreranno allo sviluppo dei transistor junctionless da implementare nei futuri processori

Click sul link per visualizzare la notizia.
Redazione di Hardware Upg è offline   Rispondi citando il messaggio o parte di esso
Old 23-09-2010, 10:46   #2
supertigrotto
Senior Member
 
Iscritto dal: Aug 2006
Città: Valdagno
Messaggi: 5120
questo investimento è perchè intel è un produttore

Tecnicamente ad AMD non conviene fare questo tipo di accordi visto che ha relegato la produzione a global foundries.
Intel per stare al passo con i tempi,deve investire il doppio dei soldi e fa bene.
Solo che non sento mai che glibal foundries finanzia le ricerche di qualche istituto per la ricerca di nuove tecniche per costruire semiconduttori.
supertigrotto è offline   Rispondi citando il messaggio o parte di esso
Old 24-09-2010, 00:39   #3
Fiorentino86
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L'Avatar di Fiorentino86
 
Iscritto dal: Dec 2005
Città: Castelfiorentino (FI)
Messaggi: 51
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Gli scienziati di Tyndall hanno realizzato il transistor junctionless impiegando un nanocavo in silicio il quale viene circondato da un anello isolato elettricamente che funge da gate al flusso degli eletroni che passa lungo il nanocavo. Il nanocavo è pesantemente drogato-n, diventando pertanto un eccellente conduttore. Di contro il gate è pesantemente drogato-p e la sua presenza va a svuotare il nanocavo sottostante prevenendo, in questo modo, il flusso degli elettroni oltre il gate.
Scusate, ma questa descritta non è una giunzione p-n? Allora che junctionless è?
A me, dalla descrizione, sembra più un jfet ma magari è soltanto una spiegazione semplicistica.
__________________
La teoria è quando si sa tutto ma non funziona niente. La pratica è quando funziona tutto ma non si sa il perchè. In ogni caso si finisce sempre a coniugare la teoria con la pratica: non funziona niente e non si sa il perchè. -- Albert Einstein
Fiorentino86 è offline   Rispondi citando il messaggio o parte di esso
Old 24-09-2010, 07:22   #4
emanuele83
Senior Member
 
L'Avatar di emanuele83
 
Iscritto dal: Oct 2002
Città: DE
Messaggi: 3000
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Gli scienziati di Tyndall hanno realizzato il transistor junctionless impiegando un nanocavo in silicio il quale viene circondato da un anello isolato elettricamente che funge da gate al flusso degli eletroni che passa lungo il nanocavo.
/quote

il gate che circonda il nanocavo pare essere da esso isolato elettricamente. ergo nessuna giunzione pn.
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