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01-12-2009, 13:38
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#1 |
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www.hwupgrade.it
Iscritto dal: Jul 2001
Messaggi: 75166
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Link alla notizia: http://www.hwupgrade.it/news/memorie...0nm_30931.html
Samsung annuncia due novità nel campo delle memorie NAND flash prodotte a 30 nanometri: un chip a 3 bit per cella ed uno con interfaccia DDR Click sul link per visualizzare la notizia. |
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01-12-2009, 16:22
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#2 |
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Senior Member
Iscritto dal: Oct 2009
Messaggi: 3784
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appena finito di parlare di standard SDXC per memorie + veloci...ed ecco che sul mercato mettono 8GB di sdhc normali....forse in classe 16...
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03-12-2009, 19:51
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#3 |
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Senior Member
Iscritto dal: Jan 2005
Città: Gotham City
Messaggi: 1597
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La cosa che trovo molto interessante di tutti i nuovi dispositivi su tecnologia NandFlash (o derivata da essa) è l'enorme poteziale dei dispositivi portatili e di memorizzazione di massa che troveremo nei prossimi anni sul mercato.
Immagino (naturalmente ipotizzo) di poter comprare Windows 8 e trovarlo installato su una microSD @8GB con tempi di installazione inferiori ai 2-3 minuti. Via tutto quello che è ottico (salvo casi specifici) e benvenute memorie di massa MLC Nand. Ora hanno anche introdotto 3 bit per cella di memoria, aumentando la densità dei dati memorizzabili a parità di dispositivo. Questo apre la strada a celle di memoria a 4-5bit o più per il futuro, davvero niente male. 
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