Doppia novità a 30 nanometri per quanto riguarda le memorie Samsung. L'azienda coreana ha infatti annunciato l'avvio della produzione in volumi a 30 nanometri del primo chip a 32-bit di tipo MLC (multi-level cell) e dotato di interfaccia DDR (Double Data Rate) e, in un secondo comunicato, ha dato notizia dell'avvio della produzione in volumi di nuovi chip di memoria MLC NAND flash a 3 bit per cella.

Nel primo caso si tratta di memorie in grado di arrivare ad una velocità di picco, in lettura, di 133 megabit al secondo, rispetto alle velocità di lettura attestate sui 40 megabit al secondo delle tradizionali memorie NAND Flash con interfaccia di tipo single data rate.

La nuova memoria MLC NAND di tipo DDR potrà essere utilizzata per la realizzazione di soluzioni SSD per PC, per schede di memoria SD e nelle memorie moviNAND di Samsung. Non solo, le nuove memorie risultano ideali per l'impiego all'interno di soluzioni quali riproduttori multimediali e sistemi di navigazione automobilistica.

Per quanto riguarda le memorie a 3 bit per cella, anch'esse prodotte come già abbiamo detto a 30nm, Samsung ha dichiarato che verranno inizialmente destinate alla produzione di schede di memoria di tipo microSDHC da 8GB di capienza. Le nuove memorie a 3 bit per cella offrono, a parità di ingombro, il 50% di capacità di storage in più rispetto alle soluzioni a 2 bit per cella, al momento largamente utilizzate.