[Elettrotecnica&Elettronica] Dubbi e domande

[luxorl]

Salve apro questa discussione per porre alla community alcune domande di elettrotecnica ed elettronica. Partiamo da queste domandine forse un po' banali: (sorry)



1)La tensione in ingresso al transistor M è la stessa che ho su R2?
2)Conoscendo solo la Vgg e i valori di R1 e R2 come trovo le tensioni sulle due resistenze e in ingresso ad M? Partitore di Tensione?

[GUSTAV]<]

Originariamente inviato da luxorl

Salve apro questa discussione per porre alla community alcune domande di elettrotecnica ed elettronica. Partiamo da queste domandine forse un po' banali: (sorry)



1)La tensione in ingresso al transistor M è la stessa che ho su R2?
2)Conoscendo solo la Vgg e i valori di R1 e R2 come trovo le tensioni sulle due resistenze e in ingresso ad M? Partitore di Tensione?

si, in cc Gate e Source è un circuito aperto.
Vgs=Vr2 Vr2=partitore R1 R2

Poi per Id si può procedere pre via grafica (con le caratteristiche del mosfet)
oppure in spice-style con le equazioni analitiche

[luxorl]

Grazie GUSTAV]< per la risposta.

Ho un altro problemino come è definito il margine di rumore complessivo di un invertitore? Io ho la caratteristica di trasferimento e tramite il metodo grafico del sovrapporre a questa la sua funzione invertita mi trovo i livelli logici nominali e i margini di rumore per ingresso alto e basso (NMh e NMl). Però sul libro non trovo niente su come è definito il margine di rumore complessivo (NM).



In questo esercizio svolto il margine di rumore complessivo NM è pari a 1,5V.
Come lo ha trovato? E' pari forse al margine di rumore più basso fra NMh e NMl?
Come sempre grazie.

[luxorl]

Ok, mi rispondo da solo

fonte: wikipedia --> http://it.wikipedia.org/wiki/Margine...A0_ai_disturbi

Il margine di immunità ai disturbi NM è definito come il minimo tra i due valori:

         NM = min{ NML,NMH }

[luxorl]

Ho un invertitore NMOS con carico resistivo come in figura:



Devo disegnare la caratteristica Ingesso-Uscita al variare di Vs.
In particolare devo trovare i valori Vout, Vin, e Id per il punto limite in cui il transistor passa da saturazione-triodo

Ora ho un po' di problemi perchè essendo zone limite non so che equazioni applicare.

Cioè il transistor passerà dallo stato di saturazione a quello di triodo per:

Vds=Vgs-Vt cioè
Vo=Vin-Vt

Ora questa sul grafico della caratteristica ingresso uscita è una retta, quindi matematicamente per trovare il punto in cui la caratteristica passa da una parte all'altra potrei fare l'intersezione e quindi il sistema tra l'equazione della caratteristica e la retta Vo=Vin-Vt.
Ma che equazione devo usare? Va bene quella di saturazione? Vo=Vdd-Rd*Kn(Vin-Vt)^2 ??

Oppure c'è un modo diverso per procedere?

[hakermatik]

ho sbagliato...un attimi rifaccio i conti

[hakermatik]

siccome mi conosco e so che sono disordinatissimo so già che al 90% c'è qualcosa di sbagliato...ma dimensionalmente almeno ho una resistenza...

Rin= Rg + [(R2//Rpi) / (1-gm(R2//Rpi))]

...non so se quel - al denominatore ci sta bene...mha...

[hakermatik]

poi fammi sapere se è ok...sono curioso..

[hakermatik]

Originariamente inviato da Antonio23

prova questo...

Rin = (Rg + (Rpi || R2) - gm(Rpi || R2)Rg) / (1 - gm(Rpi || R2);

ciao

quindi dici che ho sbagliato? uhm.....

[hakermatik]

la fase scende perchè probabilmente lo zero è "instabile" (insomma, se ti calcoli la soluzione del polo in s è maggiore di 0)...quindi è la b...credo...

[luxorl]

Tornando a questo esercizio:


Come si calcola la potenza statica dissipata dal circuito? (il generatore VGG non si intende parte del circuito).

Le singole potenze dissipate sulle resistenze (Vr*Ir) più la potenza dissipata dall'inverter?