Elettronica

[Ja]{|e]

Fare l'analisi statica trovando Vgg per far funzionare il circuito al centro del campo di linearità dell'inverter utilizzato come amplificatore per piccoli segnali, ed il campo di linearità in riferimento all'ingresso e all'uscita che ne consegue.

Analizzare la risposta dinamica del circuito quando Es è un'onda quadra periodica @500kHz di valore basso pari a 0V e valore alto pari a 0.5V tracciando su tre grafici quotati e impilati l'andamento approssimativo di V1, V2 e V3.

Compilare una tabellina che illustri il funzionamento dell'A/D correlando i campi di valore di tensione analogiche d'ingresso alla configurazione binarie di uscita e determinando se 0111 può presentarsi all'uscita dell'A/D.

Trovare i sottointervalli temporali in cui questo eventualmente avviene.



M1: K1 = 6x10^-4, Vth1 = 2V
M2: K1 = 1x10^-4, Vth1 = 2V
C0 = 1 microFarad, R = 10 kiloOhm, Vdd = 8 V, C = 40 picoFarad, Vr = 8 V

Lambda è zero per entrambi i MOS
Per convenzione il funzionameto dei MOS è descritto dalle seguenti formule:
TRIODO: id = K x [2 x (Vgs - Vth) - Vds] x Vds
SATURAZIONE: id = K x (Vgs - Vth)^2

aiuuuuuuuuuutooooooooo, io sono uscita dal liceo classico e non capisco niente, ho seguito le lezioni, ho studiato, ho capito come funzionoano i vari pezzi del circuito più o meno, ma nessuno mi ha spiegato come mettere insieme tutte queste cose

[Ja]{|e]

Up

Vi preeeeeeeeeeeeegooo sono diperata ma qua non siete tutti ingegneri elettronici? Quest'esercizio dovrebbe essere una passeggiata per voi

[Matteo92]

caxxo una ragazza appassionata di elettronica... non ce ne sono tante

[Ja]{|e]

Originariamente inviato da Antonio23

diciamo che le formule a memoria non me le ricordo...cmq

1) devi determinare (a frequenza nulla, quindi aprendo tutti i condensatori) la caratteristica Vout/Vin dell'inverter e poi scegliere Vgg in modo tale che sia polarizzata nel punto centrale della zona lineare -> il campo di linearità è quell'intervallo di tensioni per cui l'inverter si comporta da amplificatore lineare (invertente), ovvero quell'intervallo per cui la caratteristica si approssima con una retta

Fin qua c'ero, forse l'unica cosa che mi riesce

Originariamente inviato da Antonio23

2) ora, passi ad una analisi di piccolo segnale, attaccando Es, cortocircuitando Vgg, sostituendo il mosfet a canale-n con il suo circuito equivalente alle variazioni ed il mosfet di sopra con un carico (questo mosfet si comporta da carico attivo) ->naturalmente le alimentazioni diventano dei collegamenti a massa...

E qui casca l'asino, ho fatto malissimo l'elettrotecnica... Comunque, devo mettere anche i condensatori no?

Originariamente inviato da Antonio23

3) per quanto riguarda l'ad, dipende anche questo dalla sua caratteristica: avrà 2^4 gradini in uscita, in base a come varia l'ingresso (ovvero V3) fai le tue considerazioni...

spero di non aver detto cappellate,se è così mi scuso ed aspetto l'intervento di qualcuno più fresco di me su questi argomenti, ma l'elettronica analogica non è il mio interesse principale...

Credo che più o meno sia questo lo svolgimento del compito, ti ringrazio, avrei voluto proprio lo svolgimento passo passo per avere almeno un esempio numerico su cui basarmi, spero che qualcun'altro mi possa aiutare!

[Ja]{|e]

Originariamente inviato da Antonio23

nel circuito alle variazioni devi mettere anche i condensatori...

ora mi dispiace ma non ho tempo per fartelo passo-passo...!

qualcun altro?

a che punto sei?
faccio finta che tu sia al circuito alle variazioni..

Disegnato? c'e la parte di ingresso uguale con vg cortocircuitato poi c'e il circuito equivalente del mosfet in basso ( essedo il fattode di modulaizone di canale nullo allora non hai la rds se non mi ricordo male) e quello in alto dovrebbe essere praticamente una ressitenza si valore 1/gm . poi c'e il circuito in uscita come è disegnato li. In partica hai un partitore di tensione in ingresso con il valore sulla resistenza che controlla il gen di corrente eq. Vu è data da questa corrente moltiplicata per l'impedenza del condensatore in uscita in parallelo alla resistenza del mosfet in alto.

ok?

[DVD_QTDVS]

Sgrat sgrat... ma siamo sicuri che lo schema è corretto ?
non capisco m2 con il gate al positivo..

[DVD_QTDVS]

il gate di m2 al positivo

[Hal2001]

Per me parlate arabo

[DVD_QTDVS]

Originariamente inviato da Antonio23

gate e drain cortocircuitati fanno si che il mosfet, quando è acceso, lavora sempre in zona di saturazione...praticamente si comporta come un carico.. se fosse connesso al source sarebbe sempre spento...

Ok, In pratica tutto dipende dalla tensione Vgs = Vds
che determina Id quindi l'effetto sarebbe lo stesso di una resistenza,
(per piccoli segnali)
ma con valore variabile dipendente da Vds.

[DVD_QTDVS]

Originariamente inviato da Hal2001

Per me parlate arabo

anche l'università ci mette del suo per complicare ciò che è semplice.

Esempio : Il C nasce come linguaggio di programmazione semplice ed efficace,
il ++ e il Giava aggiungono una pesante struttura dati
che stravolgono l'essenza stessa del linguaggio d'origine.

[DVD_QTDVS]

Originariamente inviato da Antonio23

esattamente: si definisce connessione a diodo del transistor (Esiste anche per i bjt..) e permette di utilizzare il transistor come carico attivo (di valore 1/gm, non lineare - non ohmica)... è conveniente rispetto alla realizzazione di una resistenza in IC...

non lineare, me lo immaginavo
Ok, thankYou
ciao.

[Ja]{|e]

Originariamente inviato da 85francy85

a che punto sei?
faccio finta che tu sia al circuito alle variazioni..

Disegnato? c'e la parte di ingresso uguale con vg cortocircuitato poi c'e il circuito equivalente del mosfet in basso ( essedo il fattode di modulaizone di canale nullo allora non hai la rds se non mi ricordo male) e quello in alto dovrebbe essere praticamente una ressitenza si valore 1/gm . poi c'e il circuito in uscita come è disegnato li. In partica hai un partitore di tensione in ingresso con il valore sulla resistenza che controlla il gen di corrente eq. Vu è data da questa corrente moltiplicata per l'impedenza del condensatore in uscita in parallelo alla resistenza del mosfet in alto.

ok?

aspè aspè allora non ho capito niente, per me il circuito eq. era questo (m'annoia un po' a quest'ora disegnarlo bene:

no è molto piu semplice. Prov a disegnarti il solo secondo transistor quello in alto a parte e cortocircuita il gate con il drain e verdai che si comporta come una resistenza ai piccoli segnali di valore 1/gm. Il parametro rds secondo me non c'e se metti lambda =0

[Ja]{|e]

Originariamente inviato da 85francy85

no è molto piu semplice. Prov a disegnarti il solo secondo transistor quello in alto a parte e cortocircuita il gate con il drain e verdai che si comporta come una resistenza ai piccoli segnali di valore 1/gm. Il parametro rds secondo me non c'e se metti lambda =0

? ma sei sicuro?

[Ja]{|e]

Originariamente inviato da Antonio23

allora...come ben sai il mosfet ha resistenza d'ingresso praticamente infinita, a parte qualche piccola corrente di leakage, per cui il circuito alle variazioni è composto da due parti staccate: la prima che determina Vgs, essendo il source collegato a massa. la seconda parte è controllata dal generatore controllato rappresentato dal mosfet che fa da amplificatore ed ha un carico costituito dal parallelo del condensatore che fa da capacità di input del A/D e la resistenza 1/gm rappresentata dal mosfet connesso a diodo (qualche post sopra c'è scritto cosa vuol dire)

1) prima parte:

a sinistra hai il generatore Es, tra nodo 1 e massa. Poi la capacità C0 tra nodo 1 e nodo 2 (il nodo 2 rappresenta il gate del mosfet). Tra nodo 2 (gate) e massa c'è la resistenza R. TI interessa calcolare Vgs (ovvero, essendo il source del transistor a massa, ti basta calcolare la caduta su R) -> è un partitore capacitivo/resistivo... Vg = R / (R + 1/jwC0). Finita la prima parte.

2) seconda parte:

il mosfet si comporta come un generatore di corrente controllato in tensione, di valore gmVgs -> essendo il source a massa, di valore gmVg. tale corrente erogata dal generatore scorrerà verso il nodo 3, il cui carico è il parallelo tra la capacità d'ingresso dell'A/D, C1, e la resistenza non lineare del mos connesso a diodo, 1/gm. Per cui V3, che sarebbe Vdrain, V3 = gmVg * (1/gm || 1/jwC1).

la tensione sul nodo 1 è direttamente quella del piccolo segnale, quella sul nodo 2 è la Vg, quella sul nodo 3 è la Vd. in base a come varia Vd, ci sarà un certo codice in uscita dal A/D, a seconda della sua caratteristica... praticamente ora è passo passo, devi solo sostituire i numeri!!

se il lambda è nullo la resistenza d'uscita del mos, rds, si può ignorare, questo perchè tale parametro tiene in conto la dipendenza della corrente d'uscita dalla tensione Vds.... ps questo esercizio è molto più facile di come possa sembrare ad una prima vista, non farti scoraggiare subito!

Mi sento stupida

[Ja]{|e]

Originariamente inviato da Antonio23

ora è giusto, e come vedi è molto semplice.

Si semplicissimo

Originariamente inviato da Ja]{|e

? ma sei sicuro?

guarda che non ti ho mica detto cosi:-)
ho detto come il secondo che hai postato

[Ja]{|e]

Originariamente inviato da 85francy85

guarda che non ti ho mica detto cosi:-)
ho detto come il secondo che hai postato

si si poi ho tolto infatti il collegamente che non c'era

allora ci sei arrivata in fondo?