[THREAD UFFICIALE] Aspettando ATi HD 2900XT

[appleroof]

Originariamente inviato da Simon82

Certo forse a livello di immagine potrebbe salvare AMD avere finalmente una soluzione pronta qualsiasi sia il processo produttivo con un die a mo' di tavolo...a questo punto 2 mesi sono un bel guadagno per l'azienda dopo gli n passati.

Diciamo che vedresti il bicchiere mezzo pieno...

cmq sia, il tempo finalmente si avvicina, e vedremo quanto di quello che abbiamo ipotizzato in questi mesi sarà vero o meno, quanto all'immagine sappiamo che se R600 spacca (al di là della questione "versione successiva immediatamente dopo" o meno, che cmq se vera cambia non poco lo scenario) il ritardo sarà dimenticato e il danno d'immagine cancellato istantaneamente....sarà per questo che tardano? Vedremo

[halduemilauno]

http://www.pcinpact.com/actu/news/35...65-nm-R650.htm

[TecnoWorld8]

io credo che invece il prezzo basso sia "possibile"...pensateci...il mercato dei pc si sta ridefinendo. ad agosto ho acquistato un Intel C2D E6600 a meno di 300 Euro. Un mese prima, una CPU con la stessa potenza costava oltre il doppio...

Perche` dunque la stessa cosa non puo` accadere con le GPU? Magari ci sara` una top di gamma a 600 Euro, ma altrettanto magari ce ne saranno alcune subito sotto come potenza a 400 o meno...io voglio crederci. sarebbe splendido. soprattutto ora che si fa tanto parlare di GPGPU

[appleroof]

Originariamente inviato da TecnoWorld8

io credo che invece il prezzo basso sia "possibile"...pensateci...il mercato dei pc si sta ridefinendo. ad agosto ho acquistato un Intel C2D E6600 a meno di 300 Euro. Un mese prima, una CPU con la stessa potenza costava oltre il doppio...

Perche` dunque la stessa cosa non puo` accadere con le GPU? Magari ci sara` una top di gamma a 600 Euro, ma altrettanto magari ce ne saranno alcune subito sotto come potenza a 400 o meno...io voglio crederci. sarebbe splendido. soprattutto ora che si fa tanto parlare di GPGPU

ehm....8800gtx/gts?

[Tenebra]

Un abbassamento di prezzo rispetto alle ventilate 500 e passa euro per la scheda top di gamma non lo vedo così assurdo, se fate caso alla gamma nella sua totalità...
Se R600 equivale a 8800gtx, e R630 a 8600gts, rimane una grossa lacuna commerciale e prestazionale: il buco tra 8800gtx e 8600gts è coperto, quanto a prestazioni e fasce di prezzo, in casa Nvidia con 8800gts 640 e la sua versione da 320.

In casa Amd non c'è nulla, quindi i casi sono due:

-o l'abbassamento di prezzo serve a "compattare" la gamma ed a giustificare il salto assurdo di prestazioni che si avrebbe tra R630 e R600 (sempre presumendo che R600 più o meno equivalga a 8800gtx come prestazioni e R630 a 8600gts)

-oppure R630 si posizionerà più in alto in quanto a prestazioni rispetto a 8600gts (si spera, la media Nvidia è abbastanza deludente, la scusa dei driver non regge - chi ha mai visto driver finali che migliorano più del 10%?) e il "buco" sarà meno evidente

Personalmente, spero e propendo per la seconda - non bisogna dimenticare che, anche se R600 sarà a 80nm, R630 partirà direttamente da 65nm stando alle ultime dichiarazioni.

[halduemilauno]

per carità me ne guarderò bene dal dire ammazza quant'è brutta.

[Defragg]

Originariamente inviato da halduemilauno

per carità me ne guarderò bene dal dire ammazza quant'è brutta.

la OEM non deve essere bella

tanto la avranno in 4 gatti

[DVD2005]

Originariamente inviato da Defragg

la OEM non deve essere bella

tanto la avranno in 4 gatti

più che altro non è sempre la stessa oem che abbiamo già visto?

[Free Gordon]

Originariamente inviato da davide155

Vi ricordo che il sito in questione è the inquirer

[Free Gordon]

Se sono 8+6, come nella foto sopra, il tetto di alimentazione dovrebbe essere 240W se non sbaglio.
Per cui è realistico pensare ad una ventina di W in meno, in load, per R600.

[halduemilauno]

http://forums.vr-zone.com/showthread.php?t=143105

R600 (1GB GDDR4) will consume 240 Watts
R600 (512MB GDDR3) will consume 200 Watts

[Simon82]

Originariamente inviato da halduemilauno

per carità me ne guarderò bene dal dire ammazza quant'è brutta.

Oh my... che die impressionante.. ogni volta che lo vedo ci rimango.. quello e' a 80nm ed e' cosi' che lo vedremo.

(a meno che TheInquirer questa volta non abbia avuto notizie da fonti buone e non dalle marmotte che confezionavano i pcb).

[Athlon 64 3000+]

http://forums.vr-zone.com/showthread.php?t=143108

[Simon82]

Originariamente inviato da Athlon 64 3000+

http://forums.vr-zone.com/showthread.php?t=143108

[Simon82]

Quel 0704AAY potrebbe essere relativo a questo mese?


Le memorie...


General Description
FOR 2M x 32Bit x 8 Bank GDDR4 SGRAM
The K4U52324QE is 536,870,912 bits of hyper synchronous data rate Dynamic RAM organized as 8 x 2,097,152 words by 32 bits, fabricated with SAMSUNG's high performance CMOS technology. Synchronous features with Data Strobe allow extremely high performance up to 11.2GB/s/chip.
I/O transactions are possible on both edges of the clock cycle.
Range of operating frequencies, and programmable latencies allow the device to be useful for a variety of high performance memory system applications.

Features
1.8V± 0.09V power supply for device operation
1.8V± 0.09V power supply for I/O interface
On-Die Termination (ODT)
Output Driver Strength adjustment by EMRS
Calibrated output drive
1.8V Pseudo Open drain compatible inputs/outputs
8 internal banks for concurrent operation
Differential clock inputs (CK and /CK)
Commands entered on each positive CK edge
Double pumping address
CAS latency : 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22 (clock)
Burst length : 8 only
Programmable Write latency : 1, 2, 3, 4, 5, 6 and 7 (clock)
Single ended READ strobe (RDQS) per byte
Single ended WRITE strobe (WDQS) per byte
Auto Calibration mode by ZQ pin
RDQS edge-aligned with data for READs
WDQS center-aligned with data for WRITEs
Data Mask(DM) for masking WRITE data
Multi-preamble
DBI(Data Bus Inversion) mode
Auto & Self refresh modes
Auto Precharge option
32ms, auto refresh (8K cycle)
Lead Free 136 Ball FBGA(RoHS Compliant)
Maximum clock frequency up to 1.4GHz
Maximum data rate up to 2.8Gbps/pin
DLL for edge aligned outputs
Mirror function with MF pin
Boundary scan function with SEN pin



http://www.samsung.com/Products/Semi...24qe_rev10.pdf

[esticbo]

Originariamente inviato da Simon82

Quel 0704AAY potrebbe essere relativo a questo mese?

Dovrebbe essere cosí, il post dice ke hanno appena iniziato a venderla in cina o giappone

[appleroof]

Originariamente inviato da esticbo

Dovrebbe essere cosí, il post dice ke hanno appena iniziato a venderla in cina o giappone

o in polinesia....credo che se fosse vero la cosa sarebbe strombazzata ai 4 venti, una notizia così clamorosa non passa certo inosservata...

cmq bella bestia

[belin]

Originariamente inviato da Simon82

Originariamente inviato da Simon82

Le memorie...


General Description
FOR 2M x 32Bit x 8 Bank GDDR4 SGRAM
The K4U52324QE is 536,870,912 bits of hyper synchronous data rate Dynamic RAM organized as 8 x 2,097,152 words by 32 bits, fabricated with SAMSUNG's high performance CMOS technology. Synchronous features with Data Strobe allow extremely high performance up to 11.2GB/s/chip.
I/O transactions are possible on both edges of the clock cycle.
Range of operating frequencies, and programmable latencies allow the device to be useful for a variety of high performance memory system applications.

Features
1.8V± 0.09V power supply for device operation
1.8V± 0.09V power supply for I/O interface
On-Die Termination (ODT)
Output Driver Strength adjustment by EMRS
Calibrated output drive
1.8V Pseudo Open drain compatible inputs/outputs
8 internal banks for concurrent operation
Differential clock inputs (CK and /CK)
Commands entered on each positive CK edge
Double pumping address
CAS latency : 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22 (clock)
Burst length : 8 only
Programmable Write latency : 1, 2, 3, 4, 5, 6 and 7 (clock)
Single ended READ strobe (RDQS) per byte
Single ended WRITE strobe (WDQS) per byte
Auto Calibration mode by ZQ pin
RDQS edge-aligned with data for READs
WDQS center-aligned with data for WRITEs
Data Mask(DM) for masking WRITE data
Multi-preamble
DBI(Data Bus Inversion) mode
Auto & Self refresh modes
Auto Precharge option
32ms, auto refresh (8K cycle)
Lead Free 136 Ball FBGA(RoHS Compliant)
Maximum clock frequency up to 1.4GHz
Maximum data rate up to 2.8Gbps/pin
DLL for edge aligned outputs
Mirror function with MF pin
Boundary scan function with SEN pin



http://www.samsung.com/Products/Semi...24qe_rev10.pdf

...finalmente qualcosa di ufficiale ed interessante...

Le memorie delle versioni XTX saranno GDDR4, teoricamente a 2100 Mhz dovrebbero andare senza problemi. La banda passante sarebbe mostruosa. La scheda non è venduta da nessuna parte, manco su Marte.

...ciao!

[Simon82]

Originariamente inviato da belin

...finalmente qualcosa di ufficiale ed interessante...

Le memorie delle versioni XTX saranno GDDR4, teoricamente a 2100 Mhz dovrebbero andare senza problemi. La banda passante sarebbe mostruosa. La scheda non è venduta da nessuna parte, manco su Marte.

...ciao!

Davvero una banda passante impressionante... e' un investimento sul futuro fatto da AMD questo tipo di memoria e bus.

[Defragg]

niente HIS per R600 a quanto pare

è davvero una bella bestiola, le dimensioni sono quelle di una 8800GTS