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Recensione HONOR Magic V6: spessore record e super batteria. È lui il fold da battere?
Recensione HONOR Magic V6: spessore record e super batteria. È lui il fold da battere?
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Old 29-06-2004, 09:43   #1
Redazione di Hardware Upg
www.hwupgrade.it
 
Iscritto dal: Jul 2001
Messaggi: 75166
Link alla notizia: http://news.hwupgrade.it/12706.html

Elpida presenta due nuove tecnologie in grado di incrementare le prestazioni dei moduli di memoria DRAM

Click sul link per visualizzare la notizia.
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Old 29-06-2004, 10:08   #2
ErPazzo74
Senior Member
 
L'Avatar di ErPazzo74
 
Iscritto dal: Sep 2001
Messaggi: 1521
Notevole solo che nn capisco come fai si ottengano datarate di soli 400Mhz x le DDR e 800Mhz x le DDR2.
Eppoi addirittura mi sembra 1 po' ottimistica confrontare i tempi delle DRAM con le SRAM, spero sia vero.
ErPazzo74 è offline   Rispondi citando il messaggio o parte di esso
Old 29-06-2004, 11:00   #3
Mezzelfo
Senior Member
 
L'Avatar di Mezzelfo
 
Iscritto dal: Mar 2002
Città: (MI)
Messaggi: 1111
Cosa sono le SRAM?
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Old 29-06-2004, 11:57   #4
-=DennyX=-
Senior Member
 
Iscritto dal: Oct 2001
Messaggi: 532
Memorie statiche, ovvero quelle usate nella cache dei processori. Non hanno bisogno di refresh, come le memorie dinamiche, e hanno un tempo di latenza praticamente nullo. Lo svantaggio è che ogni cella di memoria sram deve usare parecchi componenti, quindi si tratta di memorie a bassa densità e dal costo molto elevato (ecco perchè un processore "umano" ne ha al massimo 1mb )
-=DennyX=- è offline   Rispondi citando il messaggio o parte di esso
Old 29-06-2004, 13:07   #5
Dreadnought
Senior Member
 
L'Avatar di Dreadnought
 
Iscritto dal: Aug 1999
Città: Vares
Messaggi: 3831
Le ddr2 arrivano a 800MHz rispetto ai 400 delle ddr1 perchè vanno a 1.8V invece che a 2.5V e scaldano la metà.
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Old 29-06-2004, 13:53   #6
TripleX
Bannato
 
L'Avatar di TripleX
 
Iscritto dal: Sep 2003
Città: Reggio C. - Messina
Messaggi: 2367
scusa se te lo dico ma la tua spiegazione sul come vadano piu' veloci le ddr2 fa piu' acqua di quando noe' dovette salire sull'arca i suoi animaletti
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Old 29-06-2004, 14:56   #7
ichnusa82
Member
 
Iscritto dal: May 2003
Città: Madrid
Messaggi: 217
confermo che la spiegazione e' un po' annacquata, per quanto riguarda le static ram il rapporto con le dram per il numero di transistor necessari per 1 bit di informazione e' di 6:1, la differente velocita' sta nel fatto che le dram devono caricare e scaricare un condensatore ad ogni lettura il che, per correnti non infinite, impiega il suo bel tempo. Per accorciarlo una via e' ridurre la capacita' del condensatore ma cosi' facendo bisogna avere degli amplificatori di segnale molto + sensibili come appunto viene detto nell'articolo di sopra "three-stage-sensing"
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Old 29-06-2004, 21:00   #8
cdimauro
Senior Member
 
L'Avatar di cdimauro
 
Iscritto dal: Jan 2002
Città: Germania
Messaggi: 26110
Se non ricordo male c'è anche una configurazione con 4 transistor per ogni cella di memoria statica.
__________________
Per iniziare a programmare c'è solo Python con questo o quest'altro (più avanzato) libro
@LinkedIn Non parlo in alcun modo a nome dell'azienda per la quale lavoro
Ho poco tempo per frequentare il forum; eventualmente, contattatemi in PVT o nel mio sito. Fanboys
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Old 29-06-2004, 22:29   #9
xeal
Senior Member
 
Iscritto dal: Jun 2003
Città: vivo in Sicilia (tra la prov. di AG e Palermo)
Messaggi: 956
Ricordavo che il compito del condensatore nelle celle di dram era assolto in realtà da un transistor (in ogni caso tecnologia cmos) e con qualche "magia" ci si riconduceva ad un condensatore equivalente esterno.

Comunque, mi pare di aver capito che in queste ram c'è il doppio dei transistor, visto che usano due celle per ogni bit. Probabilmente i tempi di refresh delle celle gemelle saranno "sfasati" per dimezzare le latenze di accesso.
Ciao
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