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14-09-2026, 12:03
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#1 |
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www.hwupgrade.it
Iscritto dal: Jul 2001
Messaggi: 75166
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Link alla notizia: https://www.hwupgrade.it/news/storag...te_159111.html
Un team di ricercatori cinesi ha sviluppato una memoria ferroelettrica in AlScN capace di superare 10 miliardi di cicli di scrittura, circa 100 volte oltre il precedente limite. Il risultato potrebbe contribuire a rendere più durevoli le memorie non volatili di prossima generazione. Click sul link per visualizzare la notizia. |
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14-09-2026, 12:51
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#2 |
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Senior Member
Iscritto dal: Aug 2006
Città: Valdagno
Messaggi: 7927
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Sembra che i sistemi ferro elettrici stiano tornando di moda,ci sono alcuni laboratori che hanno ricominciato a lavorare più intensamente sulla questione
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14-09-2026, 15:31
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#3 | |
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Senior Member
Iscritto dal: Sep 2001
Città: Saronno (VA)
Messaggi: 23129
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Quote:
__________________
DEMON77 La mia galleria su Deviant Art: http://aby77.deviantart.com/gallery/?catpath=/ |
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