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#1 |
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www.hwupgrade.it
Iscritto dal: Jul 2001
Messaggi: 75166
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Link alla notizia: https://www.hwupgrade.it/news/cpu/ad...ti_154887.html
Imec, ASML e TSMC hanno presentato una nuova piattaforma di integrazione su wafer da 300 mm per transistor basati su materiali bidimensionali. La dimostrazione include nFET e pFET con CPP di 50 nm, basse correnti di perdita e compatibilità con processi avanzati. La produzione industriale di questa tecnologia si avvicina. Click sul link per visualizzare la notizia. |
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#2 |
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Senior Member
Iscritto dal: Sep 2008
Messaggi: 10657
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Francamente mi sembrano soluzioni ancora estremamente lontane dal poter essere progetti adatti alla produzione di massa.
Piuttosto ma i progetti di cui si sentiva parlare di sistemi ottici invece che elettrici per la sostituzione dei transistor alla fine sono arrivati a qualcosa o sono spariti nel nulla?
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Fonte . Se hai bisogno di verificare con le fonti CERCATELE
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#3 |
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Senior Member
Iscritto dal: Dec 2011
Messaggi: 3366
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50 nm da centro a centro mentre poi nelle pubblicità dei nodi produttivi si parla di 2 e 1 nanometro: la differenza tra la realtà e la fantasia.
Poi diciamo che cambiare il substrato e passare ad altri materiali diversi dal silicio significa che è in atto un forte rallentamento dell'industria dei semiconduttori avanzata. A parte la pubblicità dei nodi produttivi sotto il nanometro è chiaro che gli incrementi di prestazioni stanno per essere ridotti dal raddoppio (+100%) a aumenti in doppia cifra modesti ogni 2 anni. Quindi poi non conviene piò cambiare pc o smartphone, perché il nuovo sarà solo leggermente più potente del vecchio.
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Utente Linux: Mageia 7. Sito: www.kensan.it |
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