Litografia BEUV (Beyond-EUV): la startup Lace punta sul fascio di atomi di elio per superare i limiti di ASML

[Redazione di Hardware Upg]

Link alla notizia: https://www.hwupgrade.it/news/mercat...ml_151692.html

La startup norvegese Lace ha raccolto 40 milioni di dollari, con il supporto di Microsoft, per sviluppare una litografia basata su atomi di elio anziché sulla luce. Con una risoluzione di 0,1 nm, la tecnologia BEUV promette chip 10 volte più densi e punta a rivoluzionare la produzione di semiconduttori entro il 2029.

Click sul link per visualizzare la notizia.

[supertigrotto]

In un articolo più approfondito si parla di Elio-3

[NeroCupo]

Non riesco a trovare un articolo più approfondito.
Ma se si parla di FASCI di elio, allora significa che funziona come un laser o giù di lì.
Ergo, non puoi stampare un wafer in silicio in un colpo solo, ma devi DISEGNARE ogni singolo transistor sulla sua superficie.

Non servono più specchi, maschere o sorgenti di luce EUV o simili, è vero, ma il tempo di produzione aumenta quasi in proporzione alla complessità del chip, rendendo la cosa decisamente poco appetibile.
Se così è, allora la cosa non è poi così allettante.

[ZeroSievert]

Originariamente inviato da NeroCupo

Non riesco a trovare un articolo più approfondito.
Ma se si parla di FASCI di elio, allora significa che funziona come un laser o giù di lì.
Ergo, non puoi stampare un wafer in silicio in un colpo solo, ma devi DISEGNARE ogni singolo transistor sulla sua superficie.

Non servono più specchi, maschere o sorgenti di luce EUV o simili, è vero, ma il tempo di produzione aumenta quasi in proporzione alla complessità del chip, rendendo la cosa decisamente poco appetibile.
Se così è, allora la cosa non è poi così allettante.

Non é detto. Il fascio puo' essere arbitrariamente grande. Semmai il problema é garantire un'esposizione uniforme e un'energia controllata.

Visto che usano atomic di elio, ad occhio accelerando un fascio di ioni di elio e poi lo neutralizzano successivamente (per evitare ulteriore defocusing? Boh!).

[ZeroSievert]

Originariamente inviato da NeroCupo

Non riesco a trovare un articolo più approfondito.
Ma se si parla di FASCI di elio, allora significa che funziona come un laser o giù di lì.
Ergo, non puoi stampare un wafer in silicio in un colpo solo, ma devi DISEGNARE ogni singolo transistor sulla sua superficie.

Non servono più specchi, maschere o sorgenti di luce EUV o simili, è vero, ma il tempo di produzione aumenta quasi in proporzione alla complessità del chip, rendendo la cosa decisamente poco appetibile.
Se così è, allora la cosa non è poi così allettante.

Non é detto. Il fascio puo' essere arbitrariamente grande. Semmai il problema é garantire un'esposizione uniforme e un'energia controllata.

Visto che usano atomi di elio, ad occhio accelerando un fascio di ioni di elio e poi lo neutralizzano successivamente (per evitare ulteriore defocusing o altri fenomeni legati alla carica spaziale? Boh!).

[LMCH]

Originariamente inviato da NeroCupo

Non riesco a trovare un articolo più approfondito.
Ma se si parla di FASCI di elio, allora significa che funziona come un laser o giù di lì.
Ergo, non puoi stampare un wafer in silicio in un colpo solo, ma devi DISEGNARE ogni singolo transistor sulla sua superficie.

Non servono più specchi, maschere o sorgenti di luce EUV o simili, è vero, ma il tempo di produzione aumenta quasi in proporzione alla complessità del chip, rendendo la cosa decisamente poco appetibile.
Se così è, allora la cosa non è poi così allettante.

Ci sono vari approcci per accelerare l'incisione:
usare una griglia di fasci di ioni oppure "spazzolare" il wafer pilotando il fascio di ioni con un campo magnetico secondo uno schema raster scan (come i vecchi display a tubo catodico), oppure combinare le due cose insieme.

Bisogna tener conto che i processi EUV sono comunque piú "lenti" rispetto ai processi fotolitografici precedenti (la potenza della fonte luminosa é relativamente più bassa rispetto ai processi precedenti) e si devono usare esposizioni multiple con maschere/reticoli differenti per un singolo layer, non parliamo poi delle rese più basse.
Al processo He-beam basta non essere troppo lento per un singolo layer ed avere rese relativamente decenti per essere competitivo.

Esistono già i processi fotolitografici laser ed e-beam (e = electron) , l'He-beam é un ulteriore evoluzione rispetto ad essi in teoria migliore per l'uso di ioni di elio molto più "massicci" rispetto agli elettroni (per la loro massa enorme rispetto agli elettroni possono "scavare" di piü viaggiando a velocità enormemente piü basse).