Samsung mostra la roadmap dei prossimi anni: nel 2020 il processo a 4 nanometri

[Redazione di Hardware Upg]

Link alla notizia: http://www.hwupgrade.it/news/cpu/sam...tri_68904.html

Il gigante coreano snocciola i piani di fonderia per i prossimi anni, con la volontà inoltre di istituire una divisione separata ed indipendente che si occupi delle attività di produzione dei semiconduttori

Click sul link per visualizzare la notizia.

[buziobello]

4 nanometri equivalgono a sole due volte il raggio di un elica di DNA... Impressionante, il passo successivo (sempre che sia fisicamente possibile attuarlo) prevederà un cambio di unità di misura, passando alle centinaia di picometri...

[Vash88]

Lessi tempo fa un articolo su come in realtà le dimensioni dei gate non siano più un parametro valido per determinare il processo produttivo. Come fanno quindi a scendere così velocemente quando ormai siamo vicini alla soglia fisica del processo di produzione? Semplicemente, inventando le etichette che vengono appiccicate ai processi produttivi. In realtà sono solo nomi commerciali ad avanzamenti nel processo produttivo che però non hanno un riscontro uno a uno all'atto pratico.

[squalho]

Originariamente inviato da buziobello

4 nanometri equivalgono a sole due volte il raggio di un elica di DNA... Impressionante, il passo successivo (sempre che sia fisicamente possibile attuarlo) prevederà un cambio di unità di misura, passando alle centinaia di picometri...

Attenzione! E` ormai da un po' di anni che i nomi dei processi produttivi hanno poco a che vedere con le dimensioni fisiche dei componenti dei transistor. Il nome "commerciale" assegnato al processo e` semplicemente diventato una cifra che diminuisce da una generazione a quella successiva del 30%, arrotondando. E` una pura cifra di marketing stabilita dalla ITRS.

Le dimensioni fisiche dei componenti sono un'altra cosa. Ad esempio, il processo in uso piu` recente e` quello a 10 nm che e` definito da ITRS come larghezza fisica del gate del transistor di 48 nm. Le varie fonderie poi riescono piu` o meno a raggiungere quel numero. Ad esempio, Intel lo fa da 54 nm, Samsung da 68 nm e TSMC da 64 nm.

https://en.wikipedia.org/wiki/Semico...ce_fabrication

[buziobello]

Scusa ma se non vado errato si parlava di larghezza del gate anche per i processi produttivi precedenti all'attuale, o sbaglio?

E' chiaro che i 4 nm non possono essere le dimensioni del transistor, non credo esista neanche come prototipo un laser in grado di lavorare a dimensioni quasi subatomiche!

[tuttodigitale]

Originariamente inviato da squalho

Attenzione! E` ormai da un po' di anni che i nomi dei processi produttivi hanno poco a che vedere con le dimensioni fisiche dei componenti dei transistor. Il nome "commerciale" assegnato al processo e` semplicemente diventato una cifra che diminuisce da una generazione a quella successiva del 30%, arrotondando. E` una pura cifra di marketing stabilita dalla ITRS.

Le dimensioni fisiche dei componenti sono un'altra cosa. Ad esempio, il processo in uso piu` recente e` quello a 10 nm che e` definito da ITRS come larghezza fisica del gate del transistor di 48 nm. Le varie fonderie poi riescono piu` o meno a raggiungere quel numero. Ad esempio, Intel lo fa da 54 nm, Samsung da 68 nm e TSMC da 64 nm.

https://en.wikipedia.org/wiki/Semico...ce_fabrication

secondo me si fa confusione tra il gate length e il gate pitch...il primo rappresenta la dimensione del gate, la seconda il passo, ovvero la distanza tra due gate.
detto questo ci sono differenze tra la lunghezza di gate effettivo e quello stampato. Per i 16nm FINFET, questo è pari rispettivamente a 20/28nm, non a caso questo processo era conosciuto con il nome di 20nm FINFET.
Per i 7nm la lunghezza effettiva del gate sarà di 14-15nm.....

anni e anni fa, non c'era differenza tra il mezzo pitch e la lunghezza di gate, con lo sviluppo successivo gli sforzi in base al processo sono andati più verso la riduzione della dimensione del gate (da questa dipendono molte qualità del transistor) o verso la riduzione del pitch (per la maggior densità)
ad esempio i 65nm Intel avevano una lunghezza del gate di appena 32nm, ma ben 105nm per half-pitch...

PS a conferma della confusione, i 48nm sono riferiti al gate-pitch.