Passi avanti verso le memorie universali con una ricerca congiunta tra Russia, USA e Svizzera

[Redazione di Hardware Upg]

Link alla notizia: http://www.businessmagazine.it/news/...era_62200.html

I ricercatori sono risuciti a far crescere una sottile pellicola di materiale ferroelettrico su un substrato di silicio, usando convenzionali strumenti CMOS. Il prossimo passo è dimostrare le caratteristiche funzionali del materiale

Click sul link per visualizzare la notizia.

[calabar]

"... è che possiamo crescere pellicole... "
Occhio state utilizzando crescere con valore intransitivo, e di conseguenza non supporta il complemento oggetto (le pellicole).
Per usarlo in modo transitivo occorre in questo caso farlo precedere da fare ("far crescere").

[Ultrafoxxx]

Ciao a tutti,

leggo nell'articolo:

"possiamo crescere pellicole di una lega ossida di hafnio e zirconio policristallina"

ma poi leggo anche:

"Usiamo la tecnica ALD [...] per crescere un ossido amorfo di hafnio e zirconio con una composizione predefinita"

Ma allora è amorfo o policristallino???
Magari se leggiamo l'articolo di partenza:

http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1329478

Ci accorgiamo che:

"The oxide film is further crystallized during ALD growth of the capping TiN layer"

Se proprio dobbiamo tradurre un articolo, lo traduciamo tutto e bene.
Ma sarebbe meglio se magari si commentasse direttamente un lavoro pubblicato su Applied Materials & Interfaces che non è un giornalaccio trascurabile....

Buon pomeriggio a tutti. Compreso a chi produce ferroelettrici mediante ALD.

Ultrafoxxx