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www.hwupgrade.it
Iscritto dal: Jul 2001
Messaggi: 75166
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Link alla notizia: http://www.businessmagazine.it/news/...ite_57187.html
Per la prima volta è stato possibile realizzare un transistor ad effetto di campo in perovskite ibrida. I ricercatori hanno potuto quindi dimostrare la capacità di sfruttare un gating elettrostatico anche per questa classe di materiali Click sul link per visualizzare la notizia. |
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