Intel e Micron: tecnologia air-gap per le memorie a 25nm

[Redazione di Hardware Upg]

Link alla notizia: http://www.businessmagazine.it/news/...5nm_34695.html

La joint-venture IM Flash Technologies annuncia di aver impiegato la tecnologia air-gap per la realizzazione di prodotti commerciali NAND a 25nm

Click sul link per visualizzare la notizia.

[Unrealizer]

Originariamente inviato da Redazione di Hardware Upgrade

Link alla notizia: http://www.businessmagazine.it/news/...5nm_34695.html

La joint-venture IM Flash Technologies annuncia di aver impiegato la tecnologia air-gap per la realizzazione di prodotti commerciali NAND a 25nm

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e con le capacità parassite come fanno?

due pezzi di metallo separati da aria fanno un condensatore

[Ale88]

Beh... ma anche prima che ci fosse il vuoto tra le piste si formavano condensatori. Solo che ora la capacità parassità si calcola con la epsilon dell'aria anziché del diossido di silicio.
Se ti interessa ho trovato anche la sezione di una realizzazione di un chip da parte di IBM: clicca (2.5 MB)

[Chelidon]

Originariamente inviato da Unrealizer

e con le capacità parassite come fanno?

due pezzi di metallo separati da aria fanno un condensatore

Il punto è proprio quello, il vuoto è il dielettrico migliore in quanto ha la costante dielettrica più bassa: vai proprio a ridurre le capacità parassite a parità del resto.

Più che altro immagino che non sia proprio banale dover fare una crescita lasciando degli spazi vuoti, invece di metterci qualcosa di compatto come un qualsiasi dielettrico tipo ossido di silicio..

[Calish Drasith]

ehm, vuoto e aria son due concetti prettamente distinti, eh...

[Ale88]

Vero! Però c'è da dire che il confronto da fare è quello tra come era prima (ossido) e come è ora (aria/vuoto, non so quale grado di vuoto siano riusciti a raggiungere)!