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HUAWEI MatePad Air recensione: OLED opaco e tastiera dedicata per lavorare meglio
HUAWEI MatePad Air recensione: OLED opaco e tastiera dedicata per lavorare meglio
HUAWEI MatePad Air combina diverse carte molto interessanti: un OLED PaperMatte da 12 pollici, un corpo sottile e una tastiera molto comoda. Durante la prova abbiamo apprezzato fluidità, audio e comfort visivo, mentre i test hanno chiarito pregi e qualche limite nelle prestazioni. L'autonomia ha convinto anche nell'uso intermittente; la scelta passa dalla compatibilità delle proprie app e dal valore del pacchetto con accessori, proposto a 749 euro
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Old 29-09-2008, 01:38   #1
taceto32
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Iscritto dal: Oct 2006
Messaggi: 43
overclock e8500 su p5q

Salve ragazzi posseggo da poco un pc così composto alimentatore lc power 580w effettivi, procio e8500 su p5q liscia ho abbinato delle memorie da overclock delle ocz reaper pc8500 a 1066 mhz per cercare di occare un pò ho comprato un blueorb2 molto silenzioso e caruccio....ora sono riuscito ad arrivare a 4,22 ghz lasciando le ram a 1066 e portando il vram a 2.10 quanto di specifica.....la mia domanda è questa perchè il pc sembra + lento delle frequenze standard?è normale che memtest mi trovi quasi una 20 di errori quando effettuo i ltest sui 2 gb?

eccovi degli screen...ditemi che ne pensate please


come posso testare per bene questa macchinuccia...devo affidarmi solo a memtest e a orthos?? datemi qualche diritta ....vi ringrazio
__________________
e8500@4,22ghz p5q+blueorbmini+2gbocz reaper pc8500 1066mhz+lcpower 580w

Ultima modifica di taceto32 : 29-09-2008 alle 01:41.
taceto32 è offline   Rispondi citando il messaggio o parte di esso
Old 09-03-2009, 20:37   #2
hidrobooooos
Bannato
 
Iscritto dal: Nov 2008
Messaggi: 144
AI Overclock tuner: Manual
CPU Ratio Setting:9.0
FSB Frequency:420
PCI-E Frequency: 101
FSB Strap to North Bridge: 333
DRAM Frequency:1112
DRAM CLK Skew on Channel A1: AUTO
DRAM CLK Skew on Channel A2: AUTO
DRAM CLK Skew on Channel B1: AUTO
DRAM CLK Skew on Channel B2: AUTO
DRAM Timing Control: Manual

1st Information:
CAS# Latency:
DRAM RAS# to CAS# Delay:
DRAM RAS# Precharge:
DRAM RAS# Activate to Precharge:
RAS# to RAS# Delay : AUTO
Row Refresh Cycle Time: AUTO
Write Recovery Time: AUTO
Read to Precharge Time: AUTO

2nd Information :
READ to WRITE Delay (S/D): AUTO
Write to Read Delay (S): AUTO
WRITE to READ Delay (D): AUTO
READ to READ Delay (S): AUTO
READ to READ Delay (D): AUTO
WRITE to WRITE Delay (S): AUTO
WRITE to WRITE Delay (D): AUTO

3rd Information :
WRITE to PRE Delay: AUTO
READ to PRE Delay: AUTO
PRE to PRE Delay: AUTO
ALL PRE to ACT Delay: AUTO
ALL PRE to REF Delay: AUTO

DRAM Static Read Control: auto
DRAM Read Training: Auto
MEM. OC Charger: Auto
AI Clock Twister: Auto
AI Transaction Booster: Auto



CPU Voltage:1,27500
CPU GTL Voltage Reference (0/2):
CPU GTL Voltage Reference (1/3):
CPU PLL Voltage:1.52
FSB Termination Voltage:1.24
NB Voltage:1.24
DRAM Voltage:210
NB GTL Reference:auto
SBridge Voltage:1.10
PCIE SATA Voltage:1.50

Load Line Calibration: Enabled
CPU Spread Spectrum: Disabled
PCIE Spread Spectrum: Disabled
CPU Clock Skew: Auto
NB Clock Skew: Auto
CPU Margin Enhancement: performance


cosi sono a 3870 stabile............ieri ho provato a salire di fsb fino a 435 con un solo punto in piu di v core ho passato 3 cicli di linx ho provato a salire per arrivare a 450 .......ce l'ho fatta ma il test intel burn strees 1 per 15 arriva al 93 % .......ma provo un test di far cry e srascia......ho provato cosi fino a 1.35 volt di v core ma nulle...i test durano di piu ma niente....ho provato con pll 1.54 fsb termination 1,26 nb 1,26 e v core da 1.320 fino ad arrivare a 1,35 ...ma nulla ....fa i test ma dopo un pò crascia........
la mia domanda è.....se sono stabile a 1,27 volt v core a 420 fsb......come mai per salire di 30 fsb fa queste storie?? in teoria con poco di piu vcore dovrebbe andare? no? help please

TU COME HAI RISOLTO?? LA MIA è DELUXE PERò....TI SAREI GRATO SE MI PUOI POSTARE QUALCHE IMPOSTAZIONE ROCK SOLID...GRAZIE
hidrobooooos è offline   Rispondi citando il messaggio o parte di esso
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