vanno bene questi moduli?

[claudiogiuseppe]

Poichè avevo solo 512 Mb di Ram (divisi in due banchi di 256 Mb), ho deciso di aumentarla ad un GB. Un tecnico mi ha installato un modulo da 1 GB, ed in più mi ha lasciato uno dei due vecchi moduli da 256 Mb. Ora quindi ho 1.21 GB di RAM. La mia perplessità nasce dal fatto che i due moduli mi sembrano troppo diversi, per funzionare bene, ma non sono esperto.
Voi che ne pensate? Vorrei qualche parere.
Allego in calce un report di "Everest" per darvi tutti i dati dei due moduli.
=== Ho XP SP2, AMD Athlon XP 2000 MHz, Bios Phoenix-AwardBIOS 6.00 PG, 133 Mhz =====
---[ EVEREST Home Edition (c) 2003-2005 Lavalys, Inc. ]--
Sistema operativo Microsoft Windows XP Home Edition
5.1.2600 (WinXP Retail)
--------[ SPD ]-------
[ DIMM1: Kingston K ]
Proprietà modulo di memoria:
Nome modulo Kingston K
Numero di serie 7106F4F7h
Data di produzione Settimana 36 / 2007
Capacità modulo 1024 MB (2 ranks, 4 banks)
Tipo modulo Unbuffered
Tipo memoria DDR SDRAM
Velocità PC3200 (200 MHz)
Ampiezza bus 64 bit
Voltaggio SSTL 2.5
Metodo rilevamento errore Nessuno
Frequenza di aggiornamento Ridotto (7.8 us), Self-Refresh

Timing della memoria:
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)

Caratteristiche modulo di memoria:
Early RAS# Precharge Non supportato
Auto-Precharge Non supportato
Precharge All Non supportato
Write1/Read Burst Non supportato
Buffered Address/Control Inputs Non supportato
Registered Address/Control Inputs Non supportato
On-Card PLL (Clock) Non supportato
Buffered DQMB Inputs Non supportato
Registered DQMB Inputs Non supportato
Differential Clock Input Supportato
Redundant Row Address Non supportato

Produttore:
Nome società Kingston Technology Company, Inc.

[ DIMM2: Kingston KVR266X72C25/256 ]
Proprietà modulo di memoria:
Nome modulo Kingston KVR266X72C25/256
Numero di serie 18FFFF05h
Data di produzione Settimana 4 / 2005
Capacità modulo 256 MB (1 rank, 4 banks)
Tipo modulo Unbuffered
Tipo memoria DDR SDRAM
Velocità PC2100 (133 MHz)
Ampiezza bus 72 bit
Voltaggio SSTL 2.5
Metodo rilevamento errore ECC
Frequenza di aggiornamento Ridotto (7.8 us), Self-Refresh

Timing della memoria:
@ 133 MHz 2.5-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 100 MHz 2.0-2-2-5 (CL-RCD-RP-RAS)

Caratteristiche modulo di memoria:
Early RAS# Precharge Non supportato
Auto-Precharge Non supportato
Precharge All Non supportato
Write1/Read Burst Non supportato
Buffered Address/Control Inputs Non supportato
Registered Address/Control Inputs Non supportato
On-Card PLL (Clock) Non supportato
Buffered DQMB Inputs Non supportato
Registered DQMB Inputs Non supportato
Differential Clock Input Supportato
Redundant Row Address Non supportato

Produttore:
Nome società Kingston Technology Company, Inc.