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Samsung Galaxy S25 Edge: il top di gamma ultrasottile e leggerissimo. La recensione
Samsung Galaxy S25 Edge: il top di gamma ultrasottile e leggerissimo. La recensione
Abbiamo provato il nuovo Galaxy S25 Edge, uno smartphone unico per il suo spessore di soli 5,8 mm e un peso super piuma. Parliamo di un device che ha pro e contro, ma sicuramente si differenzia dalla massa per la sua portabilità, ma non senza qualche compromesso. Ecco la nostra prova completa.
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Old 26-09-2007, 12:16   #1
lello89
Member
 
Iscritto dal: Jul 2007
Messaggi: 30
[HELP]RAM e schermata blu

eaga di recente ho installato due nuovi banchi di ram ecco le caratteristiche:
Elemento Valore
Proprietà modulo di memoria
Nome modulo Kingston K
Numero di serie 6F3E52D3h
Data di produzione Settimana 44 / 2005
Capacità modulo 512 MB (2 ranks, 4 banks)
Tipo modulo Unbuffered
Tipo memoria DDR SDRAM
Velocità PC3200 (200 MHz)
Ampiezza bus 64 bit
Voltaggio SSTL 2.5
Metodo rilevamento errore Nessuno
Frequenza di aggiornamento Ridotto (7.8 us), Self-Refresh

Timing della memoria
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 133 MHz 2.0-2-2-6 (CL-RCD-RP-RAS)

Caratteristiche modulo di memoria
Early RAS# Precharge Non supportato
Auto-Precharge Non supportato
Precharge All Non supportato
Write1/Read Burst Non supportato
Buffered Address/Control Inputs Non supportato
Registered Address/Control Inputs Non supportato
On-Card PLL (Clock) Non supportato
Buffered DQMB Inputs Non supportato
Registered DQMB Inputs Non supportato
Differential Clock Input Supportato
Redundant Row Address Non supportato

Produttore
Nome società Kingston Technology Company, Inc.
Informazioni sul prodotto http://www.kingston.com/products/default.asp

mentre le altru due che già avevo e che ho rimasto sono:
Elemento Valore
Proprietà modulo di memoria
Nome modulo Samsung M3 68L3223FTN-CCC
Numero di serie F206503Ch
Capacità modulo 256 MB (1 rank, 4 banks)
Tipo modulo Unbuffered
Tipo memoria DDR SDRAM
Velocità PC3200 (200 MHz)
Ampiezza bus 64 bit
Voltaggio SSTL 2.5
Metodo rilevamento errore Nessuno
Frequenza di aggiornamento Ridotto (7.8 us), Self-Refresh

Timing della memoria
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)

Caratteristiche modulo di memoria
Early RAS# Precharge Non supportato
Auto-Precharge Non supportato
Precharge All Non supportato
Write1/Read Burst Non supportato
Buffered Address/Control Inputs Non supportato
Registered Address/Control Inputs Non supportato
On-Card PLL (Clock) Non supportato
Buffered DQMB Inputs Non supportato
Registered DQMB Inputs Non supportato
Differential Clock Input Supportato
Redundant Row Address Non supportato

Produttore
Nome società Samsung
Informazioni sul prodotto http://www.samsung.com/Products/Semi...DRAM/index.htm

ECCO il problema: da quando ho messo queste due nuove ram kingston da 512 il sistema va in cresh quando lo utilizzo a pieno regime...mi compare cioè sempre a schermata blu con questo errore:
PFN_LIST_CORRUPT
sapete cos'è?
lello89 è offline   Rispondi citando il messaggio o parte di esso
Old 26-09-2007, 12:32   #2
alecomputer
Senior Member
 
Iscritto dal: May 2003
Città: venezia
Messaggi: 18601
L' errore è causato da errori prodotti durante la lettura scrittura della ram .

il problema puo dipendere da vari fattori :

1) Errati settaggi nel bios , imposta il riconoscimento della ram su auto , se non risolvi abbassa i timing o la frequenza della ram .
2) Incompatibilita con la scheda madre utilizzata , prova ad aggiornare il bios all' ultima versione .
3) ram danneggiata o difettosa , per verificare prova la ram su un altro pc o esegui un test con memtest .
alecomputer è offline   Rispondi citando il messaggio o parte di esso
Old 26-09-2007, 14:22   #3
lello89
Member
 
Iscritto dal: Jul 2007
Messaggi: 30
ho effettuato il test con memtest per circa un ora..sn arrivato al 300% e non ci sono errori...quindi devo aggiornare il bios?come fare?GRAZIE MILLE.
ciao.
lello89 è offline   Rispondi citando il messaggio o parte di esso
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