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Old 04-02-2007, 20:50   #1
Grossetobay
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Iscritto dal: Oct 2006
Città: grosseto
Messaggi: 92
[GR+sped] 256mb ddr sdram pc2100 133

testato funzionante

caratteristiche

Proprietà modulo di memoria:
Nome modulo Samsung M3 68L3223DTL-CB0
Numero di serie 44043316h
Capacità modulo 256 MB (1 rank, 4 banks)
Tipo modulo Unbuffered
Tipo memoria DDR SDRAM
Velocità PC2100 (133 MHz)
Ampiezza bus 64 bit
Voltaggio SSTL 2.5
Metodo rilevamento errore Nessuno
Frequenza di aggiornamento Ridotto (7.8 us), Self-Refresh

Timing della memoria:
@ 133 MHz 2.5-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 100 MHz 2.0-2-2-5 (CL-RCD-RP-RAS)

Caratteristiche modulo di memoria:
Early RAS# Precharge Non supportato
Auto-Precharge Non supportato
Precharge All Non supportato
Write1/Read Burst Non supportato
Buffered Address/Control Inputs Non supportato
Registered Address/Control Inputs Non supportato
On-Card PLL (Clock) Non supportato
Buffered DQMB Inputs Non supportato
Registered DQMB Inputs Non supportato
Differential Clock Input Supportato
Redundant Row Address Non supportato

Produttore:
Nome società Samsung
Informazioni sul prodotto http://www.samsung.com/Products/Semi...DRAM/index.htm

non conosco valore di mercato fate voi, coda max 24h spedizione assicurata obbligatoria
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