Nuovi materiali per le memorie ferroelettriche

[Redazione di Hardware Upg]

Link alla notizia: http://www.hwupgrade.it/news/memorie/18274.html

Fujitsu annuncia lo sviluppo di un nuovo materiale per la realizzazione di memorie ferroelettriche non volatili e caratterizzate da contenuto consumo energetico

Click sul link per visualizzare la notizia.

[Octane]

capacità di mantenere le informazioni anche in assenza di corrente, caratteristica tipica delle memorie SRAM

probabilmente c'e' un'imprecisione; le SRAM mantengono lo stato in assenza di refresh, perdono pero' l'informazione in assenza di alimentazione..

[Kuarl]

il refresh invece serve proprio per mantenere lo stato... senza non si potrebbe sapere cosa succede... l'informazione potrebbe anche restare intatta (e quindi avresti ragione te) ma potrebbe anche mutare generando errori

[bs82]

le sram hanno bisogno del refresh cmq!!!

[DaK_TaLeS]

Mi sembra abbia ragione Octane

Le sram non necessitano di refresh, sono le dram che necessitano di refresh.

Edit:

Tutto a causa dei componenti con cui sono costruite. Il refresh serve alle memorie costruite con condensatori (DRAM), i quali nel tempo rischiano di alterare la loro carica e quindi il dato. Il refresh è un ciclo di lettura che serve per mantenere "stabile" il valore della determinata cella. Le SRAM sono costruite in modo diverso (tipicamente un circuito con due porte not e due interruttori, semplificando) e quindi non necessitano di refresh.

Wikipedia: Sram
Wikipedia: Dram

In ogni caso perdono le informazioni senza alimentazione.
Quelle che mantengono i dati anche senza alimentazione sono ROM.

[Spitfire84]

Le SRAM non necessitano reflesh;perdono l'informazione solo quando viene tolta l'alimentazione.Le DRAM ne hanno invece bisogno in quanto la loro capacità di memorizzazione si basa sull'immagazzinamento di carica in una capacità di storage;tale carica tende però a "scappare" a seguito delle correnti parassite:da qui la necessità del reflesh per non perdere il dato.
Ciao..
..Andrea

[Lotharius]

Molto interessanti tutte queste alternative alle normali RAM. Però, fra nanotubi di carbonio, bismuto-ferrite e compagnìa bella, chi avrà la meglio? Qui non si parla solo di fattibilità del progetto, di performance delle RAM, ma anche di costo d'acquisto e di smaltibilità dei materiali usati (proprio adesso che la questione ROhS Compliant è diventata più delicata e restrittiva).
Sicuramente la presenza di più progetti paralleli gioverà all'utenza di massa. L'idea di avvii Instant-On mi stuzzica davvero senza contare il fatto che ci sarebbe un ulteriore risparmio energetico (a conferma del fato che non bisogna spingere solo su CPU e GPU come contenimento di energia, ma su ogni singolo componente).

[zani83]

difatti c'è un'errore...sarebbero delle memorie di m***** se unissero le velocità delle DRAM e le capacità delle SRAM.

probabilmente c'è un'errore. le sigle vanno invertite.

[Octane]

Le SRAM nel loro design tipico utilizzano 6 transistors per bit, mentre le DRAM 1. Un transistor anche per le EEPROM (memorie flash) anche se costruito diversamente.
Queste FeRAM promettono la "botte piena e la moglie ubriaca" in quanto avrebbero dichiarano la velocita' delle SRAM, la densita' delle DRAM e la capacita' di mantenere lo stato in assenza di alimentazione delle EEPROM.

Speriamo che non attendano troppo a proporre questa tecnologia!

[Raid5]

http://en.wikipedia.org/wiki/Magnetic_core_memory

[Octane]

Il principio di base delle memorie a nuclei di ferrite e' decisamente non nuovo; erano decisamente molto grandi costruite con componenti discreti (fili, bobine e toroidi) e il consumo di corrente si misurava in KW.
La novita' di queste FeRAM e' che sono costruite con un processo litografico.
La cosa invece che mi suona strana e' invece che abbiano cominciato a produrle nel 1999 e noi ne sentiamo parlare solo ora

[mail9000it]

A differenza delle memoria DRAM, inoltre, le quali aggiornano i condensatori periodicamente, le memorie ferroelettriche aggiornano i propri array solamente a seguito di un'operazione di lettura, la quale normalmente rende inservibile il contenuto delle celle di memoria.

Fatemi capire...
dopo aver letto il contenuto della memoria occorre riscriverlo per non perderlo...
Esempio: Io leggo una area di memoria e mi cade la corrente prima di riscriverlo, quindi perdo i dati o li danneggio in modo irreparabile.
non mi sembra molto comodo...

Conferme ? Spiegazioni ?

[Octane]

Originariamente inviato da mail9000it

Fatemi capire...
dopo aver letto il contenuto della memoria occorre riscriverlo per non perderlo...
Esempio: Io leggo una area di memoria e mi cade la corrente prima di riscriverlo, quindi perdo i dati o li danneggio in modo irreparabile.
non mi sembra molto comodo...

Conferme ? Spiegazioni ?

Posso solo ipotizzare che l'operazione di lettura esaurisca la carica immagazzinata nel piccolo condensatore "ferroelettrico" e quindi necessiti di essere ripristinata.
Il problema della caduta dell'alimentazione si puo' probabilmente ovviare integrando nella circuiteria di controllo dei condensatori (ovviamente di capacita' superiore all'intera riga in lettura in quel momento) che riuscirebbero a ripristinarne la carica anche in assenza di alimentazione e andrebbero a ripristinare lo stato dell'elemento di memorizzazione.

[Octane]

Originariamente inviato da Antonio23

perchè? invece di fare un refresh periodico lo si fa soltanto dopo la lettura, risparmiando la potenza che si dissipa ogni volta nel fare il refresh... dov'è il problema? che senso ha mi cade la corrente prima di riscriverlo? se va via la corrente tutto il sistema si spegne e la memoria cmq perde il suo contenuto, quindi quali danni dovresti fare in maniera irreparabile scusa?!?

Queste memorie FeRAM sono non-volatili, tipo le flash delle nostre USB pen-drives.

[magnumopus01]

...mmm io credo di no.. l'articolo dice che unisce le caratteristiche delle SRAM alle DRAM, tutte e due volatili... non parla EEPROM..

[Octane]

Originariamente inviato da magnumopus01

...mmm io credo di no.. l'articolo dice che unisce le caratteristiche delle SRAM alle DRAM, tutte e due volatili... non parla EEPROM..

mi sto solo fidando dell'articolo fonte dell'informazione:

Fujitsu Microelectronics America announced that the Tokyo Institute of Technology, Fujitsu Laboratories, and Fujitsu Limited have jointly developed a new material for a new generation of non-volatile Ferroelectric Random Access Memory (FeRAM).
FeRAM combines the fast operating characteristics of DRAM and SRAM with flash memory's ability to retain data while powered off..

http://www.cdrinfo.com/Sections/News...x?NewsId=17696