Wafer CPU

K Reloaded · 07-07-2007, 19:20

salve a tutti, avrei una curiosità da togliermi ... e cioè qualcuno mi può spiegare in poche parole come mai le CPU che vengono tagliate nella parte interna del wafer "potrebbero" essere + performanti rispetto a quelle tagliate all'esterno?

su cosa si basa questa teoria?

grazie 1000!

isomen · 07-07-2007, 19:26

Credo perchè il cuore del wafer dovrebbe fornire il silicio più puro.

CIAUZ

nellosamr · 07-07-2007, 20:12

e di solito come più performanti si intende + overcloccabili

andw7 · 07-07-2007, 20:13

Quote:

Originariamente inviato da isomen

Credo perchè il cuore del wafer dovrebbe fornire il silicio più puro.

CIAUZ

esatto, oltre che una maggiore concentrazione dello stesso.

è un po' come il cuore di una forma di parmigiano a confronto con un pezzo vicino alla crosta. piaciuto il paragone?

K Reloaded · 07-07-2007, 22:55

asd perfetto! grazie a tutti!

BlackRider · 08-07-2007, 00:32

La parte centrale del wafer ha minori problemi di allineamento tra i vari livelli di maschere, minori effetti di auto ombreggiatura e, in generale, minori problemi inerenti tutti i processi fotolitografici e di impiantazione ionica.
Questo è il motivo principale poi esistono anche effetti "secondari" come le impurità che tendono ad avere una concentrazione maggiore verso i bordi, lo stess residuo nel materiale che è ovviamente maggiori man mano che ci si allontana dal cuore della fetta. La concentrazione del silicio usato come substrato di partenza varia anche essa man mano che ci si allontana dal centro, diventando sempre maggiore verso i bordi, perchè tutte le sostanze comunemente usate per drogare il silicio (boro, arsenico e fosforo), hanno coefficiente di segregazione maggiore di uno

K Reloaded · 08-07-2007, 03:11

Quote:

Originariamente inviato da BlackRider

La parte centrale del wafer ha minori problemi di allineamento tra i vari livelli di maschere, minori effetti di auto ombreggiatura e, in generale, minori problemi inerenti tutti i processi fotolitografici e di impiantazione ionica.
Questo è il motivo principale poi esistono anche effetti "secondari" come le impurità che tendono ad avere una concentrazione maggiore verso i bordi, lo stess residuo nel materiale che è ovviamente maggiori man mano che ci si allontana dal cuore della fetta. La concentrazione del silicio usato come substrato di partenza varia anche essa man mano che ci si allontana dal centro, diventando sempre maggiore verso i bordi, perchè tutte le sostanze comunemente usate per drogare il silicio (boro, arsenico e fosforo), hanno coefficiente di segregazione maggiore di uno

meglio ancora! grazie!

Andi89 · 08-07-2007, 10:18

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Originariamente inviato da BlackRider

La parte centrale del wafer ha minori problemi di allineamento tra i vari livelli di maschere, minori effetti di auto ombreggiatura e, in generale, minori problemi inerenti tutti i processi fotolitografici e di impiantazione ionica.
Questo è il motivo principale poi esistono anche effetti "secondari" come le impurità che tendono ad avere una concentrazione maggiore verso i bordi, lo stess residuo nel materiale che è ovviamente maggiori man mano che ci si allontana dal cuore della fetta. La concentrazione del silicio usato come substrato di partenza varia anche essa man mano che ci si allontana dal centro, diventando sempre maggiore verso i bordi, perchè tutte le sostanze comunemente usate per drogare il silicio (boro, arsenico e fosforo), hanno coefficiente di segregazione maggiore di uno

Complimenti per la spiegazione

BlackRider · 09-07-2007, 20:09

Quote:

Originariamente inviato da Andi89

Complimenti per la spiegazione

grazie mille

07-07-2007, 19:20	#1
K Reloaded Senior Member Iscritto dal: May 2006 Città: Regione FVG Messaggi: 28768	Wafer CPU salve a tutti, avrei una curiosità da togliermi ... e cioè qualcuno mi può spiegare in poche parole come mai le CPU che vengono tagliate nella parte interna del wafer "potrebbero" essere + performanti rispetto a quelle tagliate all'esterno? su cosa si basa questa teoria? grazie 1000!

07-07-2007, 19:26	#2
isomen Senior Member Iscritto dal: Nov 2003 Città: Siena Messaggi: 17015	Credo perchè il cuore del wafer dovrebbe fornire il silicio più puro. CIAUZ __________________ 1°Pc 1600X@4Ghz+Master liquid 240+B350-F+EVGA 750w+970 strix 4gb+M.2 Crucial 256Gb+hd 1 ST 4Tb+1 ST 4Tb+2x8Gb G.Skill Ripjaws 3200@2933 2°Pc R7 2700X@default+NH-D14+Asus X370 pro+XFX 750ww+cross 2X480 8gb+hd M.2 pcie samsung 240gb+hd WD 2Tb+3Tb+2x8Gb G.Skill flarex 3200@3200 3°Pc Kabini 5150+AM1M-A+Seagate 320Gb+2x2Gb Kingston 1600mhz+skystar2 eXpress HD 4°Pc QC5000M-ITX/PH+RemixOS

07-07-2007, 20:12	#3
nellosamr Senior Member Iscritto dal: Dec 2006 Città: La città bianca, tra il mare e le colline, tra gli olivi e le spiagge...Ostuni (Brindisi) Messaggi: 1592	e di solito come più performanti si intende + overcloccabili __________________ il mio blog --->http://glispettatori.blogspot.com/

07-07-2007, 22:55	#5
K Reloaded Senior Member Iscritto dal: May 2006 Città: Regione FVG Messaggi: 28768	asd perfetto! grazie a tutti!

08-07-2007, 00:32	#6
BlackRider Senior Member Iscritto dal: Apr 2007 Città: Caserta Messaggi: 1423	La parte centrale del wafer ha minori problemi di allineamento tra i vari livelli di maschere, minori effetti di auto ombreggiatura e, in generale, minori problemi inerenti tutti i processi fotolitografici e di impiantazione ionica. Questo è il motivo principale poi esistono anche effetti "secondari" come le impurità che tendono ad avere una concentrazione maggiore verso i bordi, lo stess residuo nel materiale che è ovviamente maggiori man mano che ci si allontana dal cuore della fetta. La concentrazione del silicio usato come substrato di partenza varia anche essa man mano che ci si allontana dal centro, diventando sempre maggiore verso i bordi, perchè tutte le sostanze comunemente usate per drogare il silicio (boro, arsenico e fosforo), hanno coefficiente di segregazione maggiore di uno

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