Link alla notizia: http://news.hwupgrade.it/13058.html

I primi chip memoria SRAM a 0.065 micron sono stati ufficialmente annunciati da Intel. Per le prime cpu con questa tecnologia bisognerà però attendere almeno la fine del 2005

Click sul link per visualizzare la notizia.

Sempre più piccoli.....un pò meglio invece no a.....

Ma passando da 130nm a 90nm il calore prodotto è aumentato sensibilmente...speriamo che questa ulteriore riduzione di dimensioni non peggiori ulteriormente la situazione, ma che intel studi a fondo un sistema per dissipare tutto quel calore o almeno per ridurre al minimo quello prodotto... :rolleyes:

la riduzione della dimensioni delle piste non comporta un aumento delle temperature,anzi il completo contrario,nel caso del p4 l'aumento della temperatura e imputabile al nuovo core prescott che e diverso da nw,e dal fatto che passando a 90 e anche diminuita la superficie del core che risulta in questo modo piu difficile da dissipare adeguatamente

Ma infatti non capisco una cosa... hanno ridotto sia la grandezza dei transistor sia la lunghezza dei canali ed hanno ottenuto come effetto l'aumento della potenza da dissipare... adesso proseguendo su questa strada cosa pretendono di ottenere? perchè adesso dovrebbe di colpo invertirsi questo trend?

il fatto è che rimpicciolendo i transistor, a parità di superficie di core ce ne stanno sempre di più, milioni in più e la temperatura sviluppata è direttamente proporzionale (tagliando corto) al numero di transistor presenti. DI transistyor ce ne sono di più, la superficie è lievemente ridotta quindi abbiamo + calore da dissipare con meno superficie di contatto per l'aletta.
Io dall'univeristà mi ricordo le lezioni di elettronica dove il prof ci diceva che prima o poi si sarebbe raggiunto il limite dimensionale per un gate funzionante e mi sembrafa fosse di 10nm...ma era un limite teeorico difficile da raggiungere..invece nella previsione vedo già un 18!!

Wonder: il processo produttivo a 0.032 micrometri dovrebbe essere l'ultimo con la tecnologia attuale... Sotto non si può andare (anzi il mio prof dice che ci siano grossi problemi già al di sotto degli 0.040)...

La data prevista per lo stallo è circa il 2010... Il bello è che mancano 6 anni è nessuno ha ancora tirato fuori un transistor sperimentale valido con tecnologia nuova...

cosa si intende per power leakage ?

x cionci....

la litografia è in fase di sviluppo da anni ormai...

Originariamente inviato da dwfgerw
x cionci....

la litografia è in fase di sviluppo da anni ormai...
Quale litografia ? Io sto parlando di transistor nuovi...in grado di garantire un grado di miniaturizzazione maggiore del limite imposto dagli effetti quantistici nella tecnologia attuale...

Non è vero che non ci sono novità all'orizzonte. Avete mai sentito parlare dei "transistor di plastica"? Non sono ancora efficienti come quelli al silicio ma ci stanno lavorando già da qualche annetto...

ci sono anche tecnologie promettenti per creare semiconduttori coi nanotubi, certo ora come ora è già tanto riuscire a fare un transistor che utilizza i nanotubi, però in futuro con le nanotecnologie probabilmente si abbandoneranno del tutto le tecniche litografiche e i processori saranno assemblati da "robot molecolari" o cose del genere... :rolleyes:

La sperimentazione è continua... quello che è certo è che una volta che raggiungeranno i limiti fisici (30nm) dovranno per forza cambiare tecnologia perché arriveremo ad uno stallo...

se non mi ricordo male, pare di aver letto di una ditta israeliana che aveva prodotto un chip a fibre ottiche e che era risultato molto + efficiente di quelli di oggi.... ora cerco:D

...+ piccoli sono - wafer utilizzano = +$...

clicka qui (http://www.giornaletecnologico.it/hitech/200306/04/3ebcae7d07413/)

eccolo, cmq parla di chip, prima che arriviamo al procio...:( :( :rolleyes:

Originariamente inviato da avvelenato
ci sono anche tecnologie promettenti per creare semiconduttori coi nanotubi, certo ora come ora è già tanto riuscire a fare un transistor che utilizza i nanotubi, però in futuro con le nanotecnologie probabilmente si abbandoneranno del tutto le tecniche litografiche e i processori saranno assemblati da "robot molecolari" o cose del genere... :rolleyes:
A questo punto (mancano 6 anni) una tecnologia riconosciuta come definitiva avrebbe già dovuto essere pronta (a meno secondo quello che diceva il mio prof.)...3 anni di sviluppo tecnico...e 3 anni per l'affinamento del processo produttivo... Ma ancora non si sente niente...

Riguardo alle fibre ottiche... Che livello di miniturizzazione possono raggiungere ? Un polimero è una molecola particolarmente complessa e decine di volte più grande del silicio... Quindi non è sicuramente quella la strada...

Ma il supertransistor di AMD che fine ha fatto?

ma avevo sentito parlare di biopc...tipo ke si sarebbero utilizzati fibre di partikolari batteri o kose semivive...era una kagata mi pare averla letta qualke anno fa sulla stampa...ora ne ho un rikordo vago skusate...

Le nuove tecnologie sono in fase di collaudo già da qualche anno , solo che nessun produttore divulga i propri "progressi" per ovvi motivi commerciali.....

In questo settore , un idea , può valere centinaia di milioni di $$ ... quindi , mantenersi abbottonati , non vuol dire necessariamente che al fatidico "limite fisico" saranno tutti sprovvisti di frecce al proprio arco !!!

Tecnologie e prototipi sono in continuo sviluppo , resta solo da scegliere il più adatto ad una "fabbricazione" su larga scala : aspettate che le Aziende BIG del settore abbiano collaudato e (cosa più importante) brevettato le loro "Idee" , poi vedrete che sarà un fiorire di press release , seguite a ruota dal rinnovo delle fabbriche (macchinari nuovi) e quindi dalla produzione su larga scala...

Comunque , il silicio , potrebbe non avere la vita così corta come la si è dipinta nei post precedenti.... basta vedere le roadmap dei 2 Big : il multi core sposterà avanti di 3-4 o addirittura 5 anni la necessità di optare per un'altra soluzione tecnologica... difatti , un dual-core con freq più basse potrà ottenere le stesse performance di una singola CPU più veloce del 30-35% , e la resa produttiva sarà sicuramente più elevata di un core , che per essere venduto , deve necessariamente funzionare quasi sempre al limite di freq. del processo produttivo con cui è costruito....

il problema è che facendo i transistor(meglio i mosfet non vorrei che qualcuno pensasse ai bjt) più piccoli aumentano i problemi riguardo all'isolamento.Mi spiego i mosfet il terminale di comando possiamo pensarlo come un condensatore che va caricato e scaricato(potenza che non porta segnale utile di informazione). Il dielettrico che costituisce questo condensatore è SiO2 cioè diossido di silicio("quarzo") che è un buon isolante ma ai livelli tecnologici a cui siamo arrivati non è poi mica tanto isolante(lo spessore di questo isolante è di 4 strati atomici).Risultato si consuma più corrente sul gate (non dovrebbe esser così) che per l'informazione che si trasmette.
Per avere una svolta servono nuovi materiali a basso costo tecnologico con cui realizzare gli interuttori.Il massimo sarebbe avere superonduttori :D ma ho sentito parlare di giunzioni carbonio diamante ma in ambito di potenze elevate

ecco la soluzione di ripiego che useranno se al raggiungimento del limite fisico non ci sarà una tecnologia valida... ovviamente è solo una mia personalissima opinione, eh...

anche te stessa idea, eh? CMQ scusa non volevo ripeterti è che con 15 finestre di explorer che apro su hwupgrade prima che le ho lette tutte... sucecde che posto con un pò di ritardo....

spero che il concetto di perfezione non sia uguale a quello ottenuto con i prescott a 90 nanometri..

Tempo fa ho letto un articolo sullo sviluppo di CMOS su base di SiC invece che SiO2, questo permette di far lavorare i processori tranquillamente a 300°C invece delle temperature odierne di 100-150°

Già da tempo si conosceva l'utilizzo di Carburo di Silicio, ma non si potevano usare sistemi di litografia per produrre DIE come nel caso dell'SiO2.

Cercate SiC Cmos su google e avrete vari articoli, mi pare che una azienda giapponese sia in grado di metter in produzione questa tecnologia entro pochi anni.
Però ho perso la news.

Tempo fa ho letto un articolo sullo sviluppo di CMOS su base di SiC invece che SiO2, questo permette di far lavorare i processori tranquillamente a 300°C invece delle temperature odierne di 100-150°



cosa?????????????????????????????????
mamma mia ke temperature:eek: :eek: :eek: :eek: :eek:

(x me nn puo essere possibile...sono troppi 300°C)

Scritto qua: http://www.ecn.purdue.edu/WBG/Device_Research/CMOS_ICs/Index.html

The CMOS test chip, shown in Fig. 2, contains a variety of digital circuits including inverters, NAND gates, NOR gates, XOR gates, half adders, flip-flops, and two 11-stage ring oscillators. All circuits operate properly from room temperature to 300 C on a single power supply at any voltage between 5 - 15 V. These are the first SiC CMOS circuits to operate on a 5 V supply. Figure 3 shows p-channel and n-channel MOSFET I-V characteristics at 300 C. Threshold voltages are 3.4 V and 1.4 V, respectively.

Fare processori che possano arrivare a 300°C mi pare una presa per i fondelli nei nostri ocnfronti di utenti sia perchè giustificherebbe un totale menefreghismo nei confronti dei W dissipati (e ovviamente delle potenze assorbite) sia perchè renderebbe semplicemente invivibile l'ambiente in cui è posto il pc
-ma fortunatamente siamo andando nel teorico andante-

la discesa dei micron per essere efficace deve esser accoppiata ad altrettanto efficaci metodi per la riduzione di calore dissipato -e quindi consumi- e tutto questo per raggiungere, imho, l'obbiettivo non dei ghz ma dell'ottimizzazione del processore (vedi il controller di memoria integrato e vedi le soluzioni multi core)

... ma dei calcolatori quantistici non si parla più? Per quanto riguarda i computer ottici credo che il vantaggio principale risieda nel fatto che l'impulso luminoso viaggia più in fretta di quello elettrico...

Mikelezz che cosa stai dicendo? il fatto che lavorino bene a 300°C ha il grande vantaggio di non diminuire di prestazioni all'aumentare delle temperatura, il che vuol dire più stabilità generale alle temperature basse.

visti i problemi gia con i 90 nano non so se si riuscira' a fare proc con 65 nano.
anche perchè + si rimpicciolisce e + si cerca di aumentare la freq. e + si aumenta la freq + si scalda.
a questo punto si dovrà dare ragione ad AMD: per aumentre le prestazioni bisogna migliorare l'architettura e non aumentare semplicemente la freq.

Originariamente inviato da Dreadnought
Mikelezz che cosa stai dicendo? il fatto che lavorino bene a 300°C ha il grande vantaggio di non diminuire di prestazioni all'aumentare delle temperatura, il che vuol dire più stabilità generale alle temperature basse.
Ma come risolverebbero il problema della miniaturizzazione ?

X kurt81
Usa Firefox o Opera e non avrai + bisogno di usare 15 finestre ma una sola.

Il SiC è stato testato finora già fino a 650°C, ma è un processo altamente costoso e che lo stanno sviluppando per ambienti operativi estremi ti satelliti, elettronica per i propulsori ad alta temperatura e sonde spaziali con altissima affidabilità dell'elettronica.

Mentre per i processori ci sono nuove tecnologie promettenti come i tansistors molecolari etc...

si ok...ma quei 300°C andranno pur dissipati in qualche maniera...comee??

Penso che ci sia un po' di confusione. A leggere il seguente titolo, mi pare che questa tecnologia consenta di operare in condizioni di alta temperatura ambientale, piuttosto che sviluppare essa stessa tutto questo calore:
http://www.compoundsemiconductor.net/articles/magazine/7/11/8/1

Come postato da altri, i processi produttivi 'nuovi' sono sicuramente in fase di sperimentazione/test/sviluppo, solo che se ne parla poco perchè non conviene divulgare informazioni, comunque non penso abbiano già definito la tecnologia da usare, staranno testando più strade. Inoltre il multicore darà loro qualche anno di tempo in più. Le decine di miliardi di $ spese in ricerche andranno ben da qualche parte...

Originariamente inviato da nonikname
Le nuove tecnologie sono in fase di collaudo già da qualche anno , solo che nessun produttore divulga i propri "progressi" per ovvi motivi commerciali.....
Qualcosina trapela sempre :D
Dello strained silicon e di SOI si parlava prima ancora che Intel e AMD li usassero nella corsa per la CPU più potente:

http://www.lithium.it/articolo.asp?code=48
http://www.lithium.it/articolo.asp?code=18

AMD ha costruito un transistor sperimentale a 10nm con tecnologia double gate, Intel idem con tecnologia simile.
Per transistor sotto una certa scala la tecnologia più gettonata è data dai transistor multigate:
http://www.intel.com/update/contents/si07031.htm

ma davvero è così necessario avere core così piccoli?non ne vedo l'utilità...diminuire le dimensioni del core per poi aumentare il calore da dissipare su "Punti di aggancio"sempre piu piccoli....bah...ma che utilità ha tutto questo...i processori sono gia veloci...quello su cui si dovrebbe lavorare sono il trAnsfer-rate delle memoria di massa e ram...la ram ancora cosi lenta...un hard disk trasferisce massimo 150mb circa (S-ATA) ma poi realmente è gia un MIRACOLO arrivare a 60 effettivi...ma scherziamo?!?le ram non ne parliamo...hanno inventato il dual channel ddr2 ddr3 che partono da 200 per arrivare ad oltre 667..e poi?bah, che inutilità...

... ma dei calcolatori quantistici non si parla più? Per quanto riguarda i computer ottici credo che il vantaggio principale risieda nel fatto che l'impulso luminoso viaggia più in fretta di quello elettrico...