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Un team di ricercatori cinesi ha sviluppato una memoria ferroelettrica in AlScN capace di superare 10 miliardi di cicli di scrittura, circa 100 volte oltre il precedente limite. Il risultato potrebbe contribuire a rendere più durevoli le memorie non volatili di prossima generazione.

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Sembra che i sistemi ferro elettrici stiano tornando di moda,ci sono alcuni laboratori che hanno ricominciato a lavorare più intensamente sulla questione

Sembra che i sistemi ferro elettrici stiano tornando di moda,ci sono alcuni laboratori che hanno ricominciato a lavorare più intensamente sulla questione

Se hanno trovato una gabola per migliorarle in modo significativo non vedo perchè no! Speriamo!