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Imec, ASML e TSMC hanno presentato una nuova piattaforma di integrazione su wafer da 300 mm per transistor basati su materiali bidimensionali. La dimostrazione include nFET e pFET con CPP di 50 nm, basse correnti di perdita e compatibilità con processi avanzati. La produzione industriale di questa tecnologia si avvicina.

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Francamente mi sembrano soluzioni ancora estremamente lontane dal poter essere progetti adatti alla produzione di massa.

Piuttosto ma i progetti di cui si sentiva parlare di sistemi ottici invece che elettrici per la sostituzione dei transistor alla fine sono arrivati a qualcosa o sono spariti nel nulla?

50 nm da centro a centro mentre poi nelle pubblicità dei nodi produttivi si parla di 2 e 1 nanometro: la differenza tra la realtà e la fantasia.

Poi diciamo che cambiare il substrato e passare ad altri materiali diversi dal silicio significa che è in atto un forte rallentamento dell'industria dei semiconduttori avanzata. A parte la pubblicità dei nodi produttivi sotto il nanometro è chiaro che gli incrementi di prestazioni stanno per essere ridotti dal raddoppio (+100%) a aumenti in doppia cifra modesti ogni 2 anni.

Quindi poi non conviene piò cambiare pc o smartphone, perché il nuovo sarà solo leggermente più potente del vecchio.