Redazione di Hardware Upg
27-04-2026, 11:21
Link alla notizia: https://www.hwupgrade.it/news/memorie/samsung-abbatte-il-muro-dei-10-nanometri-la-dram-entra-in-una-nuova-era_152939.html
Secondo fonti industriali, Samsung avrebbe realizzato il primo die DRAM funzionante utilizzando un processo sotto i 10 nm, grazie a una nuova struttura 4F e transistor verticali. La tecnologia 10a promette maggiore densità ed efficienza energetica. La produzione di massa è prevista entro il 2028, mentre il settore guarda già alla futura transizione verso le 3D DRAM.
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Secondo fonti industriali, Samsung avrebbe realizzato il primo die DRAM funzionante utilizzando un processo sotto i 10 nm, grazie a una nuova struttura 4F e transistor verticali. La tecnologia 10a promette maggiore densità ed efficienza energetica. La produzione di massa è prevista entro il 2028, mentre il settore guarda già alla futura transizione verso le 3D DRAM.
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