Link alla notizia: http://www.businessmagazine.it/news/ricercatori-realizzano-il-primo-fet-in-perovskite_57187.html

Per la prima volta è stato possibile realizzare un transistor ad effetto di campo in perovskite ibrida. I ricercatori hanno potuto quindi dimostrare la capacità di sfruttare un gating elettrostatico anche per questa classe di materiali

Click sul link per visualizzare la notizia.