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L'Università di Londra sviluppa una tecnologia di memoria resistiva utilizzando ossido di silicio, in grado di operare a temperatura e pressione ambiente

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RAM che non si cancellano... sarebbe il massimo anche solo per quello. Addio tempi di boot, consumo energetico ridotto al minimo soprattutto nei pda :sofico:

Che al posto della ram come cache usa la reram....

L'articolo dice che sono molto più veloci delle FLASH ram, non delle normali RAM DDR e tantomeno della cache RAM statica, quindi scordatevi di vederle soppiantate da queste :-)

Comunque saranno un GROSSO salto in avanti rispetto alle flash, senza dubbio.

L'articolo dice che sono molto più veloci delle FLASH ram, non delle normali RAM DDR e tantomeno della cache RAM statica, quindi scordatevi di vederle soppiantate da queste :-)

Comunque saranno un GROSSO salto in avanti rispetto alle flash, senza dubbio.

Senza contare che già con le tecnologie attuali possono arrivare tranquillamente fino a 3nm, nel senso che senza dover usare nuovi materiali, senza dover riprogettare i componenti delle celle di memoria, con un "semplice" shrinking si possono produrre celle con feature size di 3nm. :eek:

Infatti il vero problema nel produrle a quella scala d'integrazione saranno i diodi ed i transistor (che vengono usati nella circuiteria di indirizzamento e scrittura/lettura delle celle).

In ogni caso è una buona notizia, attualmente siamo a 22..20nm, con le ReRam si apre la possibilità di un incremento teorico di 36 volte della densità delle memorie allo stato solido.

L'articolo dice che sono molto più veloci delle FLASH ram, non delle normali RAM DDR e tantomeno della cache RAM statica, quindi scordatevi di vederle soppiantate da queste :-)
E riguardo alle RAM, invece, hai qualche numero di confronto?