Link alla notizia: http://www.businessmagazine.it/news/intel-e-micron-tecnologia-air-gap-per-le-memorie-a-25nm_34695.html

La joint-venture IM Flash Technologies annuncia di aver impiegato la tecnologia air-gap per la realizzazione di prodotti commerciali NAND a 25nm

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e con le capacità parassite come fanno?

due pezzi di metallo separati da aria fanno un condensatore

Beh... ma anche prima che ci fosse il vuoto tra le piste si formavano condensatori. :p Solo che ora la capacità parassità si calcola con la epsilon dell'aria anziché del diossido di silicio.
Se ti interessa ho trovato anche la sezione di una realizzazione di un chip da parte di IBM: clicca (http://www-03.ibm.com/press/us/en/attachment/21479.wss?fileId=ATTACH_FILE2&fileName=airgapsem1r.jpg) (2.5 MB)

e con le capacità parassite come fanno?

due pezzi di metallo separati da aria fanno un condensatore
Il punto è proprio quello, il vuoto è il dielettrico migliore in quanto ha la costante dielettrica più bassa: vai proprio a ridurre le capacità parassite a parità del resto.

Più che altro immagino che non sia proprio banale dover fare una crescita lasciando degli spazi vuoti, invece di metterci qualcosa di compatto come un qualsiasi dielettrico tipo ossido di silicio..

ehm, vuoto e aria son due concetti prettamente distinti, eh...

Vero! Però c'è da dire che il confronto da fare è quello tra come era prima (ossido) e come è ora (aria/vuoto, non so quale grado di vuoto siano riusciti a raggiungere)!