lello89
26-09-2007, 12:16
eaga di recente ho installato due nuovi banchi di ram ecco le caratteristiche:
Elemento Valore
Proprietà modulo di memoria
Nome modulo Kingston K
Numero di serie 6F3E52D3h
Data di produzione Settimana 44 / 2005
Capacità modulo 512 MB (2 ranks, 4 banks)
Tipo modulo Unbuffered
Tipo memoria DDR SDRAM
Velocità PC3200 (200 MHz)
Ampiezza bus 64 bit
Voltaggio SSTL 2.5
Metodo rilevamento errore Nessuno
Frequenza di aggiornamento Ridotto (7.8 us), Self-Refresh
Timing della memoria
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 133 MHz 2.0-2-2-6 (CL-RCD-RP-RAS)
Caratteristiche modulo di memoria
Early RAS# Precharge Non supportato
Auto-Precharge Non supportato
Precharge All Non supportato
Write1/Read Burst Non supportato
Buffered Address/Control Inputs Non supportato
Registered Address/Control Inputs Non supportato
On-Card PLL (Clock) Non supportato
Buffered DQMB Inputs Non supportato
Registered DQMB Inputs Non supportato
Differential Clock Input Supportato
Redundant Row Address Non supportato
Produttore
Nome società Kingston Technology Company, Inc.
Informazioni sul prodotto http://www.kingston.com/products/default.asp
mentre le altru due che già avevo e che ho rimasto sono:
Elemento Valore
Proprietà modulo di memoria
Nome modulo Samsung M3 68L3223FTN-CCC
Numero di serie F206503Ch
Capacità modulo 256 MB (1 rank, 4 banks)
Tipo modulo Unbuffered
Tipo memoria DDR SDRAM
Velocità PC3200 (200 MHz)
Ampiezza bus 64 bit
Voltaggio SSTL 2.5
Metodo rilevamento errore Nessuno
Frequenza di aggiornamento Ridotto (7.8 us), Self-Refresh
Timing della memoria
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
Caratteristiche modulo di memoria
Early RAS# Precharge Non supportato
Auto-Precharge Non supportato
Precharge All Non supportato
Write1/Read Burst Non supportato
Buffered Address/Control Inputs Non supportato
Registered Address/Control Inputs Non supportato
On-Card PLL (Clock) Non supportato
Buffered DQMB Inputs Non supportato
Registered DQMB Inputs Non supportato
Differential Clock Input Supportato
Redundant Row Address Non supportato
Produttore
Nome società Samsung
Informazioni sul prodotto http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm
ECCO il problema: da quando ho messo queste due nuove ram kingston da 512 il sistema va in cresh quando lo utilizzo a pieno regime...mi compare cioè sempre a schermata blu con questo errore:
PFN_LIST_CORRUPT
sapete cos'è?
Elemento Valore
Proprietà modulo di memoria
Nome modulo Kingston K
Numero di serie 6F3E52D3h
Data di produzione Settimana 44 / 2005
Capacità modulo 512 MB (2 ranks, 4 banks)
Tipo modulo Unbuffered
Tipo memoria DDR SDRAM
Velocità PC3200 (200 MHz)
Ampiezza bus 64 bit
Voltaggio SSTL 2.5
Metodo rilevamento errore Nessuno
Frequenza di aggiornamento Ridotto (7.8 us), Self-Refresh
Timing della memoria
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 133 MHz 2.0-2-2-6 (CL-RCD-RP-RAS)
Caratteristiche modulo di memoria
Early RAS# Precharge Non supportato
Auto-Precharge Non supportato
Precharge All Non supportato
Write1/Read Burst Non supportato
Buffered Address/Control Inputs Non supportato
Registered Address/Control Inputs Non supportato
On-Card PLL (Clock) Non supportato
Buffered DQMB Inputs Non supportato
Registered DQMB Inputs Non supportato
Differential Clock Input Supportato
Redundant Row Address Non supportato
Produttore
Nome società Kingston Technology Company, Inc.
Informazioni sul prodotto http://www.kingston.com/products/default.asp
mentre le altru due che già avevo e che ho rimasto sono:
Elemento Valore
Proprietà modulo di memoria
Nome modulo Samsung M3 68L3223FTN-CCC
Numero di serie F206503Ch
Capacità modulo 256 MB (1 rank, 4 banks)
Tipo modulo Unbuffered
Tipo memoria DDR SDRAM
Velocità PC3200 (200 MHz)
Ampiezza bus 64 bit
Voltaggio SSTL 2.5
Metodo rilevamento errore Nessuno
Frequenza di aggiornamento Ridotto (7.8 us), Self-Refresh
Timing della memoria
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
Caratteristiche modulo di memoria
Early RAS# Precharge Non supportato
Auto-Precharge Non supportato
Precharge All Non supportato
Write1/Read Burst Non supportato
Buffered Address/Control Inputs Non supportato
Registered Address/Control Inputs Non supportato
On-Card PLL (Clock) Non supportato
Buffered DQMB Inputs Non supportato
Registered DQMB Inputs Non supportato
Differential Clock Input Supportato
Redundant Row Address Non supportato
Produttore
Nome società Samsung
Informazioni sul prodotto http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm
ECCO il problema: da quando ho messo queste due nuove ram kingston da 512 il sistema va in cresh quando lo utilizzo a pieno regime...mi compare cioè sempre a schermata blu con questo errore:
PFN_LIST_CORRUPT
sapete cos'è?