Scienziati coreani sviluppano un transistor HEMT da 738 GHz, con in mente già il 6G
Il nuovo transistor ad effetto di campo ad alta mobilità elettronica si fa notare per aver raggiunto un nuovo limite di frequenza massima, operando a 738 GHz, oltre 30 GHz in più del precedente record
di Roberto Colombo pubblicata il 06 Marzo 2021, alle 13:31 nel canale TelefoniaIl 2020 è stato l'anno in cui il 5G ha cominciato a diventare una realtà a livello globale: sono ben 140 le nuove reti 5G create a livello globale nel 2020 in 59 paesi e in Cina ormai il 68% degli smartphone venduti è dotato di tecnologia 5G.
La ricerca guarda già al 6G
Ma l'industria guarda già avanti e nei laboratori di ricerca si stanno sviluppando le soluzioni che potranno rappresentare l'ossatura della prossima generazione di tecnologie per le telecomunicazioni. Un gruppo di ricerca guidato dal professor Kim Dae-hyun della Kyungpook National University in Corea del Sud, ha infatti sviluppato un high-electron-mobility transistor (HEMT) che potrebbe trovare applicazione nelle prossime reti 6G.

Il nuovo transistor ad effetto di campo ad alta mobilità elettronica si fa notare per aver raggiunto un nuovo limite di frequenza massima, operando a 738 GHz, oltre 30 GHz in più del precedente record. Da notare come il precedente record durasse da 10 anni e di come due o tre anni prima di esso l'asticella fosse a 688 GHz: questo la dice lunga su come sia stato difficile raggiungere il nuovo record.
Le nuove reti B5G (Beyond 5G) e 6G utilizzeranno frequenze molto più elevate di quelle attuali, per scalare di circa 10 volte in termini di larghezza di banda disponibile, e quindi la ricerca si sta concentrando sullo sviluppo di nuove soluzioni che permettano di raggiungere tali frequenze, ma non solo: un dispositivo come quello messo a punto dal professor Kim Dae-hyun potrebbe trovare spazio anche nel dominio del quantum computing.
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