SSD più veloci e capienti con la nuova 4D NAND a 238 layer di SK Hynix

SSD più veloci e capienti con la nuova 4D NAND a 238 layer di SK Hynix

La sudcoreana SK Hynix ha annunciato una 4D NAND a 238 layer. Già nelle mani dei clienti, sarà prodotta in volumi a partire dalla prima metà del 2023. Ecco le peculiarità della nuova memoria che vedremo a bordo dei futuri SSD.

di pubblicata il , alle 10:41 nel canale Storage
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La memoria NAND flash continua a evolversi. Pochi giorni fa Micron ha annunciato la produzione in volumi di 3D NAND TLC a 232 layer, mentre in queste ore è la sudcoreana SK hynix a svelare una memoria NAND flash TLC con densità di 512 Gbit e 238 layer. La messa a punto si è conclusa poche settimane fa, a luglio, mentre la produzione in volumi prenderà il via nella prima metà del 2023. I primi sample sono stati consegnati ai clienti.

Successore delle soluzioni a 176 layer, questa memoria a 238 layer viene nuovamente definita 4D, termine commerciale con cui Sk hynix vuole segnalare alcune differenze in termini di prestazioni e produttività che si ottengono combinando le tecnologie Charge Trap Flash (CTF) e Peri. Under Cell (PUC) rispetto alle memorie 3D della concorrenza.

Oltre all'elevato numero di layer, la nuova NAND ha dimensioni inferiori alle precedenti soluzioni, il che secondo SK hynix garantisce "una produttività generale maggiore del 34% perché più chip [...] possono essere prodotti da ogni wafer". La velocità di trasferimento sale del 50% a 2,4 Gbit/s, mentre l'energia consumata in lettura scende del 21%.

Le 4D NAND a 238 layer di SK hynix saranno adottate anzitutto sugli SSD client e poi arriveranno su smartphone e SSD server ad alta capacità in seguito. È prevista anche l'introduzione, ma solo il prossimo anno, di una soluzione con il doppio della densità (1 Tb) rispetto al prodotto annunciato in queste ore.
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