SK hynix mostra la memoria 4D NAND a 321 layer: produzione in volumi nel 2025

Sk hynix ha affermato di aver messo a punto la prima NAND con oltre 300 layer: la casa sudcoreana ha diffuso le immagini dei primi sample di 4D NAND con 321 layer. La società illustrerà i miglioramenti della memoria e la mostrerà Flash Memory Summit (FMS) 2023 che si sta tenendo in queste ore a Santa Clara.

La nuova memoria, di tipo TLC e con una densità di 1 terabit (128 GB di capacità), entrerà nella fase di produzione in volumi solo nella prima metà del 2025, quindi in verità più che di un annuncio possiamo parlare di un "teaser" di ciò che verrà. La società ha affermato che la conoscenza ottenuta nella messa a punto della 4D NAND a 238 layer, attualmente in produzione di massa, le ha permesso di sviluppare la nuova memoria senza particolari intoppi.

SK Hynix spiega che il chip di memoria a 321 layer garantisce un miglioramento della produttività del 59% rispetto a una 4D NAND TLC da 512 Gb a 238 layer, nonché l'aumento della capacità totale che si può produrre da un singolo wafer.

Al momento rimangono ancora ignoti molti dettagli tecnici sulla nuova memoria, ma visto che la commercializzazione è lontana SK hynix non ha interesse a svelare troppo le proprie carte. Quello che possiamo dare per certo è che la nuova NAND continua a usare l'architettura CMOS-under-array in cui la logica della NAND è posta sotto le celle di memoria per salvare spazio: da qui la decisione della casa sudcoreana di chiamare la sua memoria 4D.