SK Hynix, avviata la produzione di massa della nuova 4D NAND a 238 strati
SK Hynix ha avviato la produzione di massa delle nuove memorie NAND 4D a 238 strati che consentiranno di ridurre il costo dei chip a fronte di maggiori prestazioni. Le memorie esordiranno sulle nuove generazioni di smartphone per poi arrivare su SSD client e server.
di Vittorio Rienzo pubblicata il 08 Giugno 2023, alle 10:55 nel canale StorageSK hynix
Lo scorso agosto SK Hynix presentava i nuovi chip di memoria a 238 strati 4D NAND. Adesso l'azienda ha annunciato l'avvio della produzione di massa dei chip che soddisferà, in prima istanza, le necessità del settore smartphone.
"SK Hynix ha sviluppato prodotti per smartphone e SSD client utilizzati come storage per i PC, che adottano la tecnologia NAND a 238 strati, e la cui produzione di massa è stata avviata a maggio. Poiché l'azienda si è assicurata una posizione competitiva in termini di prezzo, performance e qualità sia per la NAND a 238 strati che per la precedente generazione di NAND a 176 strati, ci aspettiamo che questi prodotti guidino una crescita degli utili nella seconda metà dell'anno" si legge nel comunicato stampa.

Nel frattempo, infatti, la società sta completando la fase di test dei chip con alcuni dei maggiori produttori di dispositivi mobili. Successivamente le memorie sbarcheranno su SSD client e server PCIe 5. Come abbiamo riportato nel nostro precedente articolo, i vantaggi legati alla nuova memoria sono diversi, ragione per cui SK Hynix ha voluto identificarla con 4D NAND.
Il principale risiede senza dubbio nelle dimensioni: le memorie sono più piccole del 34% e consentono di produrre più chip dallo stesso wafer rispetto alla precedente tecnologia a 176 strati. Naturalmente, questo consente un abbattimento dei costi rendendo la soluzione di SK Hynix più competitiva sul fronte del prezzo.
Allo stesso tempo, però, non mancano i miglioramenti in termini di prestazioni: la nuova memoria raggiunge una velocità di trasferimento di 2,4 Gb al secondo, un aumento del 50% e di circa il 20% nelle velocità di lettura e scrittura rispetto alla generazione precedente.










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