Samsung V-NAND di ottava generazione: densità di un terabit per SSD M.2 PCI Express 5.0

Samsung ha annunciato l'avvio della produzione in volumi della memoria V-NAND di ottava generazione. Si parte da soluzioni con una densità di 1 terabit (128 GB) e di tipo TLC. L'arrivo di queste soluzioni di memoria era stato preannunciato lo scorso novembre, quando si parlava di abbinamento ai futuri SSD con interfaccia PCIe 5.0. 

La società sudcoreana nelle scorse settimane ha introdotto la serie 990 Pro con interfaccia PCIe 4.0, equipaggiata con memoria a 176 layer, quindi la nuova memoria sarà adottata proprio dagli SSD M.2 consumer in uscita nel 2023, nonché dalle proposte dirette al mercato server e nei dispositivi dei clienti rivolti ad altri settori.

La memoria Samsung V-NAND di ottava generazione è basata su interfaccia Toggle DDR 5.0 e presenta una velocità di I/O fino a 2,4 gigabit al secondo, un miglioramento del 20% rispetto a 2 gigabit al secondo toccati dalla settima iterazione. Al momento non è chiaro il numero di layer che compone la nuova V-NAND, ma si parla di oltre 200 layer, probabilmente 236 secondo indiscrezioni. In abbinamento a un controller di nuova generazione la nuova memoria dovrebbe permettere di creare SSD M.2 PCIe 5.0 x4 con velocità di oltre 12 GB/s.

"La nostra V-NAND di ottava generazione ci aiuterà a soddisfare la domanda del mercato in rapida crescita e ci posizionerà al meglio per fornire prodotti e soluzioni più differenziate, che saranno alla base delle future innovazioni nel settore dell'archiviazione", ha affermato SungHoi Hur, vicepresidente esecutivo di prodotti e tecnologia flash presso Samsung Electronics.