Samsung avvia la produzione in volumi di memoria V-NAND QLC di 9a generazione

Samsung avvia la produzione in volumi di memoria V-NAND QLC di 9a generazione

Dopo la V-NAND di 9a generazione in versione TLC, Samsung ha annunciato di essere pronta alla produzione in volumi della versione QLC, capace di stoccare 4 bit per cella e quindi garantire alta densità a prezzi più contenuti.

di pubblicata il , alle 17:31 nel canale Storage
Samsung
 

Samsung ha annunciato di aver iniziato la produzione in volumi della memoria V-NAND QLC di 9a generazione con densità di 1 terabit. L'annuncio segue quello analogo di aprile relativo alla memoria TLC. Ricordiamo che le memorie TLC stoccano 3 bit per cella, quelle QLC si spingono fino a 4 bit.

"L'avvio della produzione di massa di V-NAND QLC di 9a generazione, avvenuta con successo solo quattro mesi dopo la versione TLC, ci consente di offrire una gamma completa di SSD avanzati che rispondono alle esigenze dell'era dell'IA", ha dichiarato SungHoi Hur, vicepresidente esecutivo e capo della divisione Flash Product & Technology di Samsung Electronics. "Poiché il mercato degli SSD enterprise è in rapida crescita, con una maggiore richiesta di applicazioni IA, continueremo a consolidare la nostra leadership nel segmento grazie alle nostre V-NAND QLC e TLC di nona generazione".

A caratterizzare le nuove memorie diverse innovazioni a livello tecnico, come la tecnologia Channel Hole Etching usata per raggiungere "il numero di layer più alto nell'industria" (purtroppo non specificato, ma indiscrezioni indicano 280 layer), con una struttura a doppio stack. Samsung afferma di aver ottimizzato l'area delle celle e dei circuiti periferici, raggiungendo una densità di bit "all'incirca l'86% maggiore rispetto alla precedente generazione V-NAND QLC".

La tecnologia Designed Mold regola la spaziatura delle Word Line (WL), che gestiscono le celle, per garantire l'uniformità e l'ottimizzazione delle caratteristiche delle celle tra gli strati e all'interno degli stessi. Queste caratteristiche sono diventate sempre più importanti con l'aumento del numero di layer. L'adozione di Designed Mold ha migliorato le prestazioni di conservazione dei dati di circa il 20% rispetto alle versioni precedenti, con conseguente aumento dell'affidabilità del prodotto.  

Un'altra novità citata è Predictive Program, la quale anticipa e controlla i cambiamenti di stato delle celle per ridurre al minimo le azioni non necessarie. In questo modo Samsung afferma che la V-NAND QLC di 9a generazione ha raddoppiato le prestazioni di scrittura e migliorato la velocità di input/output dei dati del 60%.

Infine, l'energia richiesta in lettura e scrittura dei dati è diminuita rispettivamente del 30% e del 50% con la tecnologia Low-Power Design. Questo metodo riduce la tensione che alimenta le celle NAND e minimizza il consumo energetico rilevando solo le bit line (BL) necessarie.

1 Commenti
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florencepugh13 Settembre 2024, 06:21 #1
In termini di prestazioni, consumo energetico e densità, come si confronta la tecnologia QLC V-NAND di nona generazione di Samsung con le generazioni precedenti della tecnologia V-NAND? https://block-blast.io

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