Samsung avvia la produzione in volumi delle memorie NAND tridimensionali

Samsung avvia la produzione in volumi delle memorie NAND tridimensionali

L'azienda coreana annuncia l'avvio della produzione delle nuove memorie Vertical NAND Flash, che permettono di estendere prestazioni ed affidabilità aggirando il problema della scalabilità planare

di Andrea Bai pubblicata il , alle 08:21 nel canale Storage
Samsung
 

Samsung Electronics ha annunciato l'avvio della produzione in volumi delle memorie tridimensionali Vertical NAND flash, che permettono di superare i limiti di scalabilità delle tecnologie attualmente utilizzate per la realizzazione delle memorie NAND flash. Le nuove memorie 3D V-NAND saranno utilizzate per una vasta gamma di applicazioni consumer ed enterprise, inclusa la realizzazione di soluzioni di storage embedded e SSD.

La nuova V-NAND di Samsung offre una densità di 128Gbit in un singolo chip, utilizzando una struttura di cella verticale proprietaria basata sulla tecnologia 3D Charge Trap Flash e una tecnologia di processo di interconnessione verticale per collegare l'array di celle tridimensionale. Applicando entrambe le tecnologie Samsung è in grado, con le nuove memorie 3D V-NAND, di offrire una scalabilità più che doppia rispetto alle memorie NAND planari a 20 nanometri.

Jeong-Hyuk Choi, senior vice president, flash product & technology per Samsung Electronics ha commentato: "La nuova tecnologia 3D V-NAND è il risultato di anni di sforzo dei nostri impiegati per andare oltre al convenzionale modo di pensare e per seguire approcci molto più innovativi nel superare le limitazioni nella progettazione di memorie. Dopo la prima produzione in volumi delle 3D Vertical NAND continueremo ad introdurre prodotti 3D V-NAND con migliori prestazioni e maggior densità, contribuendo a far crescere ulteriormente il settore delle memorie".

Negli ultimi 40 anni le memorie flash convenzionali sono state basate su strutture planari che fanno uso di floating gate. L'approdo verso le tecnologie di processo cal di sotto dei 20 nanometri ha fatto crescere le preoccupazioni sul limite della scalabilità, per via delle interferenze cella-cella che, a dimensioni così ridotte, vanno a comprometterei l'affidabilità dei dispositivi NAND flash, portando inoltre ad una crescita dei costi e dei tempi di sviluppo.

Le nuove V-NAND di Samsung sono caratterizzate dall'implementazione di una migliorata architettura CTF, sviluppata per la prima volta nel 2006, dove una carica elettrica viene collocata temporaneamente in una camera di contenimento dello strato non-conduttivo della memoria flash che è composto di nitruro di silicio, invece di utilizzare un floating gate per evitare l'interferenza tra le celle vicine. Rendendo questo strato tridimensionale è possibile migliorare in maniera significativa prestazioni e affidabilità delle memorie Vertical NAND: le nuove memorie 3D V-NAND offrono un'affidabilità dalle 2 alle 10 volte superiore rispetto alle memorie NAND flash planari realizzate con processi inferiori ai 20 nanometri, e il doppio delle prestazioni in scrittura.

Ruolo importante nel raggiungimento di questo risultato riveste la tecnologia proprietaria di Samsung per l'interconnessione verticale degli strati che consente di collegare tra loro fino a 24 livelli di celle di memoria, grazie all'impiego di particolari tecnologie di incisione che collegano gli strati elettronicamente spingendo le lacune dal livello superiore a quello più basso. Con la nuova struttura verticale Samsung può realizzare memorie NAND flash di maggior densità incrementando gli strati di celle senza dover proseguire nella strada della scalabilità planare, che è diventata particolarmente difficile da percorrere.

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3 Commenti
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calabar07 Agosto 2013, 09:42 #1
Sarebbe interessante trovare uno schemino che paragoni queste nand a quelle planari, per vedere che impatto visivo ha la differenza tra le due.
bgerman193807 Agosto 2013, 11:27 #2
interessante, se è effettivamente vero, il doppio delle prestazioni in scrittura, sarebbe un risultato eccellente.
djfix1307 Agosto 2013, 22:32 #3
occorre aumentare la banda del Sata 6G...inutile aumentare ancora IOPS dato che non sono percepibili oltre i 4k di dato.

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