Più di 300 layer e maggiore densità, SK hynix mette a punto la memoria degli SSD PCIe 5.0

Dopo aver annunciato una memoria NAND flash TLC con densità di 512 Gbit e 238 layer lo scorso agosto, la cui produzione in volumi è prevista per la prima metà di quest'anno, la sudcoreana SK hynix ha già in mente il prossimo step.

Secondo le ultime indiscrezioni, il terzo produttore di memoria NAND flash al mondo ha fissato i paletti che plasmeranno la futura generazione di 3D NAND. Si prevedono oltre 300 layer per raggiungere una densità superiore a 20 Gbit per mm2 al fine di ottenere un 1 terabit per singolo chip (128 GB).

In base alle proiezioni di SK hynix, la nuova NAND dovrebbe garantire un throughput del 18% superiore alla soluzione da 238 layer, arrivando a toccare 194 MB/s. Al fine di raggiungere tali traguardi, la società sudcoreana ha in cantiere alcune innovazioni, tra queste troviamo "Triple-Verify Program" (TPGM), una funzionalità che limita la distribuzione della tensione di soglia della cella e riduce il tPROG (tempo di programmazione) del 10%, assicurando prestazioni più elevate.

Un'altra capacità è chiamata "Plane-Level Read Retry" (PLRR) e permette di cambiare il livello di lettura di un piano senza terminare gli altri, emettendo immediatamente i successivi comandi di lettura e migliorando la quality of service (QoS) e quindi le prestazioni di lettura. I dati tecnici indicano una page size di 16 KB, quattro piani e un'interfaccia impostata a 2400 MT/s, tutte caratteristiche che dovrebbero dare forma a una memoria adeguata a toccare gli obiettivi velocistici degli SSD M.2 PCIe 5.0 x4.

Al momento non ci sono informazioni concrete sui piani produttivi di SK hynix, ma è plausibile che ulteriori dettagli arrivino nel corso di questa estate in vista di una produzione nel prevista per il 2024, sempre che i piani della società non subiscano cambiamenti nella tabella di marcia.