Micron quasi pronta con la memoria 3D NAND flash a 232 layer

Micron quasi pronta con la memoria 3D NAND flash a 232 layer

Micron ha anticipato l'arrivo di una memoria 3D NAND flash con 232 layer entro la fine dell'anno. L'azienda statunitense assicura maggiori prestazioni e minori consumi, nonché compatibilità con i controller di terze parti.

di pubblicata il , alle 10:41 nel canale Storage
Micron
 

Micron ha annunciato l'arrivo della prima memoria 3D NAND flash al mondo a 232 layer. L'azienda intende usare questa nuova memoria in svariati settori di mercato, SSD inclusi, con un produzione che dovrebbe prendere corpo partire nell'ultima parte dell'anno. La nuova memoria di Micron è di tipo TLC e ha una capacità grezza di 1 terabit, ossia 128 GB. Il chip è basato sull'architettura CMOS under array (CuA) adottata dall'azienda anche per le attuali soluzioni da 176 layer.

La nuova memoria migliorerà la densità, il consumo e la bandwidth a parità di processo produttivo, quindi si prevede una riduzione dei costi produttivi che permetterà all'azienda statunitense di commercializzare soluzioni a prezzi più vantaggiosi o, cosa più probabile, aumentare i suoi margini.

Scott DeBoer, vicepresidente esecutivo della divisione Technology and Products, ha dichiarato che Micron ha lavorato con gli sviluppatori di controller interni ed esterni per supportare la nuova memoria al meglio quando approderà sui dispositivi finali, siano essi SSD o smartphone.

Tenendo presente che Micron avvierà la produzione 3D NAND TLC a 232 layer alla fine del 2022, possiamo aspettarci i primi SSD basati sulla nuova memoria nella prima parte del 2023. Probabilmente l'azienda svelerà maggiori dettagli tecnici in vista del debutto.

Micron ha anche pubblicato una roadmap da cui si può evincere che l'azienda introdurrà altre 3D NAND flash con 2xx layer prima di passare a soluzioni con 3xx e 4x layer. Le prime sono già in fase di "sviluppo strutturale", mentre per le seconde siamo alle primissime fasi della ricerca.
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