Un team dell'Università di Fudan ha sviluppato PoX, una memoria flash non volatile ultra-veloce basata su grafene capace di scrivere in soli 400 picosecondi. La nuova soluzione potrebbe potenzialmente aprire nuovi scenari nel settore dell'IA e non solo.
di Manolo De Agostini pubblicata il 20 Aprile 2025, alle 10:01 nel canale Storage
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11 Commenti
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PoX (Phase-change Oxide) è un nuovo tipo di memoria non volatile sviluppata da un team di ricercatori cinesi dell'Università Fudan, https://pokemongammaemerald.org basata su ossidi a cambio di fase. Si propone come alternativa ultrarapida alla tradizionale memoria flash e persino alla RAM.Devi effettuare il login per poter commentare
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