Kioxia e SanDisk sbandierano i numeri degli SSD del futuro: BiCS10 sorprende per capacità e prestazioni

SanDisk e Kioxia hanno annunciato l'avvio delle spedizioni dei primi sample della nuova memoria 3D NAND BiCS10 TLC da 1 Tb (terabit), decima generazione della piattaforma sviluppata con l'architettura BiCS FLASH. La nuova soluzione punta soprattutto al settore degli SSD enterprise e dei data center, dove la crescita dei carichi di lavoro legati all'intelligenza artificiale richiede capacità elevate, maggiore velocità e una migliore efficienza energetica. La produzione utilizzerà gli impianti di ultima generazione della fabbrica Kitakami Plant Fab2, nella prefettura di Iwate, in Giappone.

Tra le caratteristiche principali della nuova BiCS10 spicca un'interfaccia NAND da 4,8 Gb/s, che rappresenta un incremento del 33% rispetto alla memoria BiCS di ottava generazione oggi prodotta in volumi. Il progetto introduce inoltre 332 layer, insieme a tecniche avanzate di scaling laterale che permettono di incrementare la densità dei bit del 59%, raggiungendo oltre 29 Gb/mm² nella versione annunciata da SanDisk.

La nuova generazione continua a utilizzare la tecnologia CMOS directly Bonded to Array (CBA), che realizza separatamente la logica CMOS e l'array di memoria su wafer distinti prima dell'unione tramite un processo di bonding ad alta precisione. Questa architettura permette di migliorare densità, prestazioni ed efficienza rispetto alle generazioni precedenti.

Dal punto di vista delle specifiche tecniche, BiCS10 integra il supporto a Toggle DDR6.0, al protocollo SCA e alla tecnologia PI-LTT, elementi progettati per garantire trasferimenti ad alta velocità mantenendo contenuti i consumi energetici.

Anche l'efficienza energetica rappresenta uno degli aspetti più rilevanti della nuova memoria. Secondo i dati diffusi da SanDisk, il consumo durante le operazioni di input diminuisce del 10%, mentre quello in output cala del 34% rispetto alla generazione BiCS8. Kioxia comunica invece un miglioramento dell'efficienza energetica del 18% in scrittura e del 30% in lettura, con l'obiettivo di ridurre il fabbisogno energetico delle infrastrutture enterprise e dei data center.

L'azienda ha inoltre confermato la prosecuzione della propria strategia basata su due linee di sviluppo parallele. Da una parte resta la nona generazione BiCS FLASH, orientata a offrire prestazioni elevate con investimenti produttivi più contenuti; dall'altra arriva la nuova BiCS10, che punta sull'aumento del numero di layer per incrementare capacità e prestazioni, ma chiaramente a un costo più elevato.

"BiCS8 ha stabilito un nuovo punto di riferimento per la tecnologia 3D NAND, combinando le nostre capacità di bonding dei wafer con significativi miglioramenti in termini di densità, prestazioni ed efficienza. Con BiCS10 TLC, ci basiamo su queste solide fondamenta per offrire ai nostri clienti velocità di interfaccia più elevate, una maggiore densità di bit e una migliore efficienza energetica" ha spiegato Alper Ilkbahar, CTO di SanDisk.