Fino a 1TB di storage negli smartphone di domani, grazie ai moduli RRAM

Fino a 1TB di storage negli smartphone di domani, grazie ai moduli RRAM

Si lavora sulle tecnologie RRAM (Resistive Random Access Memory), per consentire chip di memoria particolarmente densi di dati, da integrare all'interno dei sempre più piccoli dispositivi mobile

di pubblicata il , alle 13:31 nel canale Storage
 

Abbiamo parlato delle tecnologie RRAM di Crossbar la scorsa estate, quando la start-up prometteva un'evoluzione notevole nel settore dello storage, soprattutto per dispositivi mobile. Ad annunciare un nuovo passo in avanti questa volta è la Rice University, che ha dimostrato un modo più pratico ed economico per produrre le nuove memorie.

Con l'acronimo RRAM si identifica la tecnologia Resistive Random Access Memory, già sviluppata da molte compagnie, ma su cui ad oggi si lavora sulle metodologie di produzione, ancora troppo costose. I ricercatori della Rice hanno approntato nuove procedure per produrre moduli RRAM a temperature ambiente, e con tensioni estremamente inferiori rispetto a quelle richieste fino ad oggi.

Non bisogna farsi ingannare dal nome, perché RRAM identifica una tecnologia di storage in grado di mantenere inalterati i dati anche senza un'alimentazione constante d'energia elettrica. A differenza delle tradizionali tecnologie di memoria flash, che mantengono le informazioni utilizzando la carica dei transistor, le memorie RRAM adempiono allo stesso obiettivo mediante la resistenza elettrica. Ogni bit richiede molto meno spazio, fattore che aumenta la densità dei dati all'interno del singolo chip.

Attraverso l'architettura particolarmente semplice di RRAM, inoltre, risulta meno laborioso impilare più strati di moduli l'uno sull'altro. Le architetture a più layer sono già enormemente diffuse in ambito storage, tuttavia ogni unità richiede tre connessioni diverse, laddove le RRAM ne utilizzano solamente due. Al momento in cui scriviamo, secondo le fonti, sono già presenti prototipi che riescono a contenere 1TB di memoria all'interno dello spazio di un francobollo.

"Perché non tieni tutti i film che ti piacciono sul tuo iPhone? Non è perché non vuoi, ma perché non avresti lo spazio", sono le parole di James Tour, professore di Scienze Materiali della Rice University. L'obiettivo di Tour è quello di perfezionare un accordo di licenza con un partner non ancora ufficializzato entro le prossime due settimane, in modo da realizzare chip di memoria di capacità estremamente elevata, all'interno di dispositivi sempre più piccoli.

Il processo produttivo pensato da Tour inizia con uno strato di biossido di silicio con fori dell'ordine dei 5nm. L'uso dello strato poroso è la peculiarità delle procedure della Rice: questo viene inserito fra due ulteriori strati metallici molto sottili che fungono da elettrodi. Applicando una tensione, il metallo migra nei fori formando un collegamento elettrico fra i due elettrodi. Variando la tensione, infine, si crea una piccola rottura nel metallo all'interno dei fori, che va integrata con il silicio.

I bit che compongono i dati possono essere immagazzinati modificando la conducibilità del silicio con un impulso a bassa tensione. La RRAM mantiene il suo stato fino a quando non viene mandato un altro impulso che riscrive il bit. Il processo produttivo richiede tensioni molto inferiori rispetto a quelli utilizzati precedentemente, portando a possibilità di danneggiamenti inferiori durante le fasi di produzione, da operare anche a temperatura ambiente. In questo modo, le memorie RRAM possono essere integrate anche con altre componenti elettroniche all'interno dello stesso chip, rendendo la loro realizzazione tutt'altro che fantascienza.

"Un altro grosso passo in avanti" nella tecnologia, ha specificato Wi Lu, co-fondatore di Crossbar. Tuttavia, invita tutti a mantenere ben saldi i piedi a terra: ci sono molte opzioni per i chip di memoria di prossima generazione, ed avanzare in un mercato simile è una sfida decisamente ardua: "Se da una parte è semplice scoprire nuove procedure di produzione, creare un prodotto da zero è una cosa completamente diversa", sono state le sue parole.

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7 Commenti
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GabrySP25 Luglio 2014, 13:53 #1
Franceschini e Paoli si staranno fappando pensando ai 2000 euri di equo compenso a telefono
emanuele8325 Luglio 2014, 14:13 #2
le dimensioni di un francobollo sarebbero? quelle del penny black o quelle del gronchi rosa?
gd350turbo25 Luglio 2014, 14:17 #3
Originariamente inviato da: GabrySP
Franceschini e Paoli si staranno fappando pensando ai 2000 euri di equo compenso a telefono


Se riescono a tassare i telefoni venduti in cina, glieli dò !
tuttodigitale25 Luglio 2014, 14:18 #4
di RRAM, si parla già dal 2009.
Le caratteristiche sono molto interessanti:
1. tempi accesso nell'ordine dei 5ns vs 10.000ns delle NAND flash.
2. 1.000.000.000 di cicli scrittura vs 2.000-5.000.
3. minor consumo di corrente rispetto alle NAND flash
marck7725 Luglio 2014, 14:55 #5
Già immagino il listino iPhone:

iPhone 6 16GB: 699€
32GB: 799€
64GB: 899€
128GB: 999€
.....
1024GB: 9.999€...
LeaderGL225 Luglio 2014, 22:49 #6
Originariamente inviato da: tuttodigitale
di RRAM, si parla già dal 2009.
Le caratteristiche sono molto interessanti:
1. tempi accesso nell'ordine dei 5ns vs 10.000ns delle NAND flash.
2. 1.000.000.000 di cicli scrittura vs 2.000-5.000.
3. minor consumo di corrente rispetto alle NAND flash


beh diciamo che le cose non stanno esattamente così...i dati sulle NAND che stai fornendo sono lontani dalla realtà poi bisogna vedere quanto della attuale pubblicità che si sta facendo alle RRAM sia vera e quanta, appunto, pubblicità. Sicuramente è una tecnologia molto interessante e probabilmente migliore dell'attuale.

Riguardo i dati sulle NAND flash:
[LIST]
[*]i tempi di accesso in lettura random sono di circa 25us (micro secondi, ovvero 25000ns) per il primo byte
[*]i tempi di accesso in lettura sequenziale sono di circa 25ns; paragonabili a quelle delle RRAM
[*]per i tempi di accesso delle write...dipende da come si scrive nelle RRAM; nelle NAND flash si scrive per pagine (4K, 8K, 16K, 32K) e ci vogliono circa 900us per pagina
[*]i cicli di scrittura/erase sono circa 10.000, la pubblicità delle RRAM riposta 10K -> 1M...
[*]la data retention è di 10 anni; paragonabile a quella teorica delle RRAM
[/LIST]
fonte NAND: http://www.eng.umd.edu/~blj/CS-590.26/micron-tn2919.pdf
fonte RRAM: http://www.crossbar-inc.com/assets/...technology3.jpg
fano28 Luglio 2014, 09:55 #7
Ogni tanto escono ste notizie così sensazionali: processori in carbonio / nanotubi, teletrasporto, ologrammi, 1 GB/s su doppino ( ), ora 1 TB nelle dimensioni di un francobollo

Mi permettete di non credervi più? L'avete menata, dai! Poi manca un'informazione importante: ipotizziamo nel mondo delle fiabe che sia tutto vero e non sia tutto solo nella vostra mente di scienziati pazzi (nel senso buono è! Un vero scienziato deve essere pazzo ) quanto costerebbe 1 TB? 1'000 €? Visto che gli SSD dopo ormai 5 anni che sono in giro continuano ad avere dimensioni ridicole e costare una fucilata...

Lasciamo stare poi le nostre menate non oso immaginare quel povero TB quanto costerebbe a noi in Italia, speriamo venga abrogata a breve quella legge!

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