Pubblicate le specifiche delle memorie RLDRAM-II

Pubblicate le specifiche delle memorie RLDRAM-II

Micron ed Infineon sviluppano congiuntamente una nuova architettura per le memorie

di pubblicata il , alle 09:26 nel canale Schede Madri e chipset
 

Infineon Technologies e Micron Technology hanno annunciato oggi le specifiche complete per l'architettura DRAM II (RLDRAM II) a latenza ridotta. Le memorie operano a frequenza di 400MHz e rappresentano la seconda generazione di memorie DDR che combinano un veloce accesso casuale con una elevata bandwidth ed alta densità, rendendole ideali per impieghi in sistemi di storage e comunicazioni.

L'architettura a otto banchi è ottimizzata per alte velocità e per poter raggiungere un picco massimo teorico di badwidth di 28,8 Gbps utilizzando interfaccia a 36-bit e colock di sistema a 40MHz. Per un maggiore output di dati, la nuova architettura utilizza basse latenze e un tRC (random cycle time) di 20ns. Di seguito ulteriori caratteristiche: on-die terminiation, indirizzamento multiplexed e non-multiplexed, delay lock loop, impedenza di output programmabile e tensione di vcore di 1.8V.

Le memorie RLDRAM II sono disponibili in package 144-ball FBGA. Le memorie saranno disponibili in tre diverse configurazioni: 8Mx36, 16Mx18 e 32Mx9. Lo sviluppo dell'architettura RLDRAM è avvenuta congiuntamente da parte di Infineon e Micron.

Fonte: Xbitlabs

 

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8 Commenti
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lzeppelin14 Maggio 2003, 09:31 #1
ecco cosa ci vuole per sfruttare il bus EV6
Ma queste ram saranno impiegate anche come ram centrale di sistema a breve termine?
albertino7814 Maggio 2003, 09:35 #2

Errorino....

Piccolo errore di battitura.......400 Mhz non 40 Mhz !
Cavolo con quello che costano se poi vanno a 40 Mhz mi prendo le Edo da 4 Mega l'una!
dnarod14 Maggio 2003, 09:40 #3
lollissimo albertino!!
Crisidelm14 Maggio 2003, 10:01 #4
...un veloce accesso casuale...non so voi ma mi fa sorridere questa frase, anche se è una traduzione abbastanza corretta di RAM
Crisidelm14 Maggio 2003, 10:05 #5
Anche se in effetti, nel caso specifico, non tradurrei letteralmente "Random" con "casuale". In Italiano forse suona più giusto: "Memoria ad Accesso Diretto", dato che l'opposto di RAM è considerata la SAM, "Serial Access Memory" ("Memoria ad Accesso Seriale".
biffuz14 Maggio 2003, 17:15 #6
Impedenza programmabile? Ma è possibile? Sto cercando di farmi un'idea di come può essere un circuito simile ma non mi viene in mente... d'accordo che sono cinque anni che non apro il libro di elettronica...
Jaguarrrr14 Maggio 2003, 18:08 #7

Ma quanto parlate a vanvera....

RAM Random Access Memory
vuol dire che il tempo di accesso ad una locazione di memoria è identico qualunque sia e ovunque si trovi (nel package) la locazione di memoria.

biffuz... non hanno inventato un circuito strano. Hanno solo creato delle ram con dei tempi di latenza più bassi.

Infatti se le DDR che abbiamo ora avessero un CAS=1 (invece del 2,5 o se ti va bene 2) sarebbero stratosferice dal punto di vista della velocità.

Complimenti a tutti per i commenti...
^TiGeRShArK^14 Maggio 2003, 23:05 #8
e che c'entra ora il CAS con l'impedenza di output???

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