All'orizzonte ecco le memorie DDR-III

In occasione della JEDEX Conference, tenutasi a Pechino la scorsa settimana, sì è parlato delle prime specifiche della memoria SDRAM DDR-III e, secondo quanto detto, questo tipo di memoria dovrebbe fornire un throughput di 800Mbps, fino a 1.5Gbps. Sarà necessaria una tensione di 1.2V o 1.5V per il funzionamento e, secondo quanto dichiarato da Infineon, la capacità del primo chip DRR-III sarà di 4 Gbit.

JEDEC dovrebbe approvare le specifiche definitive attorno alla fine del 2005, contemporaneamente all'apparizione dei primi sample. La produzione in volumi è prevista per il 2007.

Si attende che le memorie DDR-III siano dotate della tecnica SLT (short-loop through) per ridurre i disturbi che si vengono a creare alle alte frequenze. Alla conferenza è stato dichiarato che la SLT è simile alla tecnica utilizzata nelle Rambus RDRAM.

In merito alle DDR-II, JEDEC sta preparando un addendum che coprirà i chip da 2Gbit attesi per il 2005. Le specifiche dispongono di raddoppiare il numero di banchi di memoria ad 8 per i chip da 1Gbit e per i chip ad alta capacità. ogni Il maggior numero di banchi porta ad una riduzione dei tempi di latenza e incrementa l'efficienza dei chip. Tutti i moduli DDR-II utilizzeranno il package BGA per via del form factor di minori dimensioni.

Fonte: Digit-Life