L'alleanza per spingere la tecnologia FD-SOI nel futuro: c'è anche STMicroelectronics

L'alleanza per spingere la tecnologia FD-SOI nel futuro: c'è anche STMicroelectronics

CEA, Soitec, GlobalFoundries e STMicroelectronics hanno annunciato una partnership per definire insieme la roadmap per la tecnologia FD-SOI e per l'ecosistema: un impegno importante per il mondo dei semiconduttori europeo e per diversi settori, tra cui quello dell'automotive.

di pubblicata il , alle 11:01 nel canale Mercato
STMicroelectronicsGlobalfoundries
 

CEA, Soitec, GlobalFoundries e STMicroelectronics hanno siglato un accordo per "definire congiuntamente la roadmap di prossima generazione del settore per la tecnologia FD-SOI (fully depleted silicon-on-insulator, silicio su isolante completamente esaurito)", importante per lo sviluppo di chip avanzati dedicati ad applicazioni negli ambiti automotive, IoT e non solo.

Un'intesa importante tra realtà della ricerca, progettazione e produzione di chip con base in Europa, dove recentemente è stato varato lo European Chips Act: CEA e Soitech sono francesi, STM è italo-francese, GlobalFoundries (in mano agli Emirati) produce a Dresda in Germania.

FD-SOI è una tecnologia di processo planare che si basa su due caratteristiche principali: la prima è un layer ultrasottile isolante, chiamato buried oxide (ossido sepolto), posizionato sopra una base di silicio. La seconda è un film di silicio molto sottile che corrisponde al canale del transistor. Grazie alla sua sottigliezza, non c'è bisogno di drogare il canale.

La tecnologia FD-SOI permette al transistor di avere caratteristiche elettrostatiche molto migliori rispetto alla tecnologia bulk tradizionale. Lo strato di ossido sepolto riduce la capacità parassita tra source e drain. Inoltre, confina in modo efficiente gli elettroni che fluiscono da source a drain, limitando drasticamente le correnti di dispersione che impattano negativamente sulle prestazioni.

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La tecnologia FD-SOI consente di controllare il comportamento dei transistor non solo tramite il gate, ma anche polarizzando il substrato sotto il dispositivo, in modo simile al body bias della tecnologia bulk che serve a modificare la tensione di soglia di un transistor CMOS. Infine, la tecnologia FD-SOI permette una polarizzazione efficiente e una commutazione più veloce, facilitando l'ottimizzazione di prestazioni e consumi.

Tutte queste qualità, unite alla facilità di progettazione e produzione rispetto ad altre tecnologie, nonché la tolleranza alle radiazioni e le buone prestazioni in radiofrequenza, rendono la tecnologia FD-SOI indicata per applicazioni negli ambiti automotive, IoT e di rete.
2 Commenti
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ciolla200511 Aprile 2022, 10:37 #1
Ottimo, bisogna spingere fortemente per creare un'alternativa alla produzione Cinese.
Per poi tagliarli fuori, è palese che abbiano scelto di rendersi "ostili all'occidente".
Sono più che 20 anni che lo dico.
mail9000it11 Aprile 2022, 14:45 #2
Originariamente inviato da: ciolla2005
Ottimo, bisogna spingere fortemente per creare un'alternativa alla produzione Cinese.
Per poi tagliarli fuori, è palese che abbiano scelto di rendersi "ostili all'occidente".
Sono più che 20 anni che lo dico.


Si sono perfettamente adattati alla filosofia di mercato occidentale.

Cosa che le multinazionali americane che sfruttano le risorse in tutto il mondo inquinando (per risparmiare) fanno da sempre.

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