Toshiba, novità per le memorie flash con due soluzioni tridimensionali e stacked

Toshiba, novità per le memorie flash con due soluzioni tridimensionali e stacked

L'azienda giapponese annuncia due novità nel campo delle memorie flash: una memoria tridimensionale che verrà prodotta in volumi nei prossimi mesi, e una memoria stacked con connessioni TSV

di pubblicata il , alle 11:01 nel canale Memorie
Toshiba
 

Toshiba Corporation ha presentato nei giorni scorsi la nuova generazione di memorie BiCS FLASH caratterizzate da una cella con struttura tridimensionale. Si tratta del primo chip BiCS a 256-gigabit che fa uso inoltre della tecnologia 3-bit-per-cell o Triple Level Cell, TLC. Le consegne dei primi sample prenderanno il via nel mese di settembre.

Le memorie BiCS FLASH sono basate su un processo di stacking a 48 strati che permette di superare la capacità delle comuni memorie NAND Flash bidimensionali e di migliorare, al contempo, l'affidabilità nel tempo per le operazioni di scrittura e cancellazione e di incrementare la velocità di scrittura.

Il nuovo chip da 256Gb è adatto per varie applicazioni consumer, dalla costruzione di unità SSD più capienti, all'integrazione negli smartphone cos' come per la produzione di schede di memoria. Non è da sottovalutare, inoltre, la possibilità di sfruttare questi chip per la realizzazione di soluzioni SSD per datacenter.

Sin dall'annuncio dei prototipi BiCS FLASH avvenuto a giugno del 2007, Toshiba a proseguito lo sviluppo in direzione dell'ottimizzazione per la produzione in volumi. La strategia dell'azienda giapponese, allo scopo di agguantare ancora crescita nel mercat delle memorie Flash per il 2016 e per gli anni seguenti, è quella di promuovere la migrazione verso le memorie BiCS FLASH con l'allestimento di un catalogo che ponga l'enfasi sulle applicazioni cui è richiesta elevata capienza.

Il colosso giapponese ha inoltre raggiunto un altro importante traguardo con lo sviluppo della prima memoria stacked NAND flash a 16-die utilizzando la tecnologia TSV (Through Silicon Via). Il prototipo sarà mostrato in occasione del Flash Memory Summit 2015 che si terrà a Santa Clara, in California, dall'11 al 13 agosto prossimi.

La tecnica conosciuta per lo stacking delle memorie NAND Flash prevede la connessione dei vari die tramite collegamento cablato all'interno di un package. La tecnologia TSV fa invece uso di elettrodi verticali che passano attraverso i die di silicio e permettono di ottenere maggiori velocità di operazioni e ridurre il consumo energetico.

La tecnologia TSV di Toshiba permette di ottenere un data rate I/O di oltre 1 gigabit al secondo, che è un valore superiore a quanto possibile con qualsiasi altra memoria NAND Flash e con una bassa tensione operativa di 1,8V per la circuiteria core e 1,2V per la circuiteria di I/O. E' inoltre possibile ottenere una riduzione dei consumi del 50% nelle operazioni di scrittura, lettura e nel trasferimento dati I/O.

Questo nuovo tipo di memorie NAND Flash risulta ideale per applicazioni di storage a bassa latenza, elevata larghezza di banda e un elevato rapporto IOPS/Watt. In altre parole si tratta di una tecnologia adatta per la realizzazione di soluzioni SSD di classe enterprise.

Resta aggiornato sulle ultime offerte

Ricevi comodamente via email le segnalazioni della redazione di Hardware Upgrade sui prodotti tecnologici in offerta più interessanti per te

Quando invii il modulo, controlla la tua inbox per confermare l'iscrizione.
Leggi la Privacy Policy per maggiori informazioni sulla gestione dei dati personali

1 Commenti
Gli autori dei commenti, e non la redazione, sono responsabili dei contenuti da loro inseriti - info
Cappej07 Agosto 2015, 16:00 #1
256 in unico chip, veramente tanta roba! Speriamo nella velocità!

Devi effettuare il login per poter commentare
Se non sei ancora registrato, puoi farlo attraverso questo form.
Se sei già registrato e loggato nel sito, puoi inserire il tuo commento.
Si tenga presente quanto letto nel regolamento, nel rispetto del "quieto vivere".

La discussione è consultabile anche qui, sul forum.
 
^