Toshiba e SanDisk: memorie a 20nm nel 2010

Toshiba e SanDisk: memorie a 20nm nel 2010

Le due realtà prevedono di avviare la produzione di memorie NAND flash per la fine del 2010

di pubblicata il , alle 10:33 nel canale Memorie
ToshibaSandisk
 

Toshiba e SanDisk hanno recentemente annunciato la strategia per l'avvio della produzione in volumi di soluzioni NAND Flash realizzate con processo produttivo a 20 nanometri. La produzione e le consegne avverranno nel corso della seconda metà del 2010. Parallelamente alla migrazione del processo produttivo, lo stabilimento di SanDisk e Toshiba situato a Yokkaichi incrementerà la capacità di produzione mensile arrivando a circa 200 mila wafer.

Toshiba ha da poco avviato la produzione dei chip a 32nm di tipo 3bpc (3-bit per cell); secondo l'azienda giapponese la produzione 32 nanometri andrà a costituire più del 50% della produzione complessiva dello stabilimento di Yokkaichi entro la fine del 2009.

La concorrenza, rappresentata principalmente dalla joint-venture Intel - Micron Technology, dovrebbe introdurre il processo produttivo da 20 nanometri entro la fine del 2009. La produzione dei chip NAND flash da 32Gbit utilizzando il processo 3bpc a 34nm è invece programmato per prendere il via presso gli stabilimenti IM Flash Technologies.

Anche Samsung è molto attiva su questo fronte. Il colosso coreano sta portando avanti una serie di operazioni ristrutturazione alla fabbrica di Austin, in Texas, in modo tale da poter rendere la produzione compatibile con l'impiego di wafer da 12 pollici per produrre un maggior volume di chip NAND flash per la seconda metà del 2010. Attualmente Samsung produce memorie NAND utilizzando il processo a 42nm.

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7 Commenti
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MasterKrandal22 Settembre 2009, 10:49 #1
ma non si diceva tempo fa che c'erano già dei prototipi funzionanti a 16nm di memorie? Forse si parlava mdi RAM? Boh..
frankie22 Settembre 2009, 11:25 #2
Aspettiamo quindi gli SSD intel G3
3NR1C022 Settembre 2009, 11:46 #3
Caduta libera prezzi SSD nel 2010 quindi...
Severnaya22 Settembre 2009, 12:49 #4
speriamo!
qboy22 Settembre 2009, 13:30 #5
c'era un flame qualche settimana fa sulla "grandezza" di Toshiba. per rispondere a costui: quante aziende si mettono a sviluppare memorie a 20nm? oppure creare cpu (cell) insieme ad altri?
CountDown_022 Settembre 2009, 15:31 #6
Intel e Micron dovrebbero arrivare ai 20 nm entro fine 2009??? Sul serio? Ma se hanno appena introdotto i 34 nm per la seconda generazione di SSD Intel... Possibile che duri così poco, la produzione a 34? Non me ne intendo, ma mi sembra difficile recuperare i costi in così poco tempo...
nudo_conlemani_inTasca30 Settembre 2009, 20:17 #7
Ma le pendrive USB sono fatte con queste memorie, sempre NAND Flash?
Perchè non vedo l'ora (oltre al discorso SSD che mi sta particolarmente a cuore)
poter trovare le Pendrive USB da 32-64GB a prezzi ragionevoli e magari pure la 128GB!

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