Spansion all'attacco di Intel e Samsung

Spansion all'attacco di Intel e Samsung

La joint-venture di AMD e Fujitsu intende incrementare la produzione di memorie per contrastare i giganti Intel e Samsung

di pubblicata il , alle 08:45 nel canale Memorie
SamsungIntelAMDFujitsu
 

Spansion, la joint-venture partecipata al 60% da AMD e al 40% da Fujitsu e specializzata nella produzione di memorie Flash utilizzate nei telefoni cellulari ed altri lettori audio digitali, prevede di aumentare considerevolmente la capacità produttiva presso la fabbrica situata in Giappone. Spansion si prefigge di fare concorrenza agli altri due giganti del mercato, Intel e Samsung.

Spansion proporrà prossimamente una memoria NAND Flash di nuova generazione che permetterà di raggiungere capacità quattro volte superiori a quelle degli attuali chip NAND Flash. Spansion ha dichiarato che allora sarà in grado di fare concorrenza alla memoria Flash NOR prodotta da Intel e ai modelli di memoria NAND prodotti da Samsung e Toshiba.

Spansion ha aggiunto che la maggior parte dei recenti telefoni cellulari possiedono quasi 24 MB di memoria Flash integrata. Durante il secondo semestre 2006, la maggior parte dei telefoni portatili dovrebbe integrare almeno 70 MB di memoria Flash (il triplo).

Per estendere e modernizzare la produzione, Spansion ha annunciato un investimento di 954 milioni di dollari americani. Lo scorso martedì, Hynix e STMicroelectronics hanno firmato un accordo di 2 miliardi di dollari americani per realizzare due nuove linee di produzione in Cina dedicate alle memorie DRAM e alle memorie Flash.

Fonte: Clubic.com

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8 Commenti
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magilvia21 Novembre 2004, 10:03 #1
Bene più concorrenza meglio è
xketto85x21 Novembre 2004, 10:53 #2
le news anche di domenica? Molto bene!!
News molto interessante, come detto da magilva, + concorrenza c'è e meglio è!
fry21 Novembre 2004, 10:58 #3
sarà l'effetto delle domeniche....a piedi!
ally21 Novembre 2004, 11:59 #4
...non capisco la differenza tra l'utilizzo di una nor e una nand...entrambe usano due cmos...è anche vero che bisognerebbe valutare l'intero circuito di storage e di controllo...nn riesco a capire se l'aumento di densità sia dovuto ad una riprogettazione della disposizione circuitale o ad una miniatirizzazione di alcune parti di questo...vedremo...
Fan-of-fanZ21 Novembre 2004, 12:15 #5
molti telefoni hanno la possibilità di caricare schede di memoria tipo multimedia card. Si potrebbe optare per una soluzione di questo tipo, magari attraverso dimensioni minime delle schede di memoria.
jappilas21 Novembre 2004, 12:28 #6
Originariamente inviato da Fan-of-fanZ
molti telefoni hanno la possibilità di caricare schede di memoria tipo multimedia card. Si potrebbe optare per una soluzione di questo tipo, magari attraverso dimensioni minime delle schede di memoria.


che poi finiscano in schede CF, SD, MMC, Stick, o saldate direttamente sulla piastra elettronica dei cellulari o dei palmari, le memorie flash, sono realizzate in chippini dello stesso tipo...
Azaroth21 Novembre 2004, 15:42 #7
Per come è fatto il transistor NMOS la NAND è più piccola della NOR, per cui è normale che si usi questo tipo di porta per i circuiti integrati
Genesio22 Novembre 2004, 12:02 #8
Certo che però sarebbe MOOOLTO più comodo avere solo uno o due tipi di memoria flash evitando così problemi di compatibilità...banalmente il mio cellulare usa le memory stick, il lettore mp3 le SD e la macchina fotografica le CF...se i supporti si diversificano continuamente risulta in uno svantaggio per l'utente finale...un po' quello che succederà coi nuovi dischi DVD-HDDVD-BD, quelli fatti col granturco, con la pancetta......
Naturalmente tutto ciò non deve andare a scapito della concorrenza!!!

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